第15讲JFET管放大电路以及各种放大电路比较.ppt

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1、模拟电子技术AnalogElectronicTechnology5.3结型场效应管5.3.1JFET的结构和工作原理5.3.2JFET的特性曲线及参数5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法5.3.1JFET的结构和工作原理1.结构#符号中的箭头方向表示什么？2.工作原理①vGS对沟道的控制作用当vGS＜0，vDS=0时（以N沟道JFET为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP<0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续变窄

2、。沟道电阻增大。vGS进一步减小到VP时，两侧耗尽层在中间合拢，沟道全部夹断，沟道电阻趋于无穷大。上述分析表明：改变vGS的大小，可以有效控制沟道电阻的大小。若在漏源极间加上固定的正向电压vDS，则由漏极流向源极的电流iD将受vGS的控制，vGS减小时，沟道电阻增大，iD减小。vGS减小到VP，iD趋于零，管子截止。2.工作原理（以N沟道JFET为例）②vDS对沟道的控制作用当vGS=0时，vDSIDg、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当vDS增加到使vGD

3、=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变2.工作原理（以N沟道JFET为例）③vGS和vDS同时作用时当VP

4、栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG0，输入电阻很高。但比MOSFET的输入　电阻低。5.3.2JFET的特性曲线及参数1.输出特性①Ⅰ区为截止区（夹断区）此时，vGSvGS－VP5.3.2JFET的特性曲线及参数2.转移特性则与MOSFET类似3.主要参数5.3.2JFET的特性曲线及参数工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性vGS=0可工作在恒流区

5、的场效应管有哪几种？vGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？vGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？P2515.3.45.3.2FET放大电路的小信号模型分析法1.FET小信号模型（1）低频模型（2）高频模型5.3.2FET放大电路的小信号模型分析法1.FET小信号模型2.动态指标分析（1）中频小信号模型2.动态指标分析（2）中频电压增益（3）输入电阻（4）输出电阻忽略rds，由输入输出回路得则很高5.5各种放大器件电路性能比较5.5.1各种FET的特性及使用注意事项1.各种FET的特性比较5.5各种放大

6、器件电路性能比较5.5.1各种FET的特性及使用注意事项2.使用注意事项在MOS管中，管子有四个管脚（衬底），有时电路中将源极和衬底连接在一起。或者P衬底接低电位，N衬底接高电位。JFET的栅源电压不能接反，但可以在开路状态下保存。而MOSFET由于栅极－衬底之间的电容量很小，只有少量的的感应电荷就可以产生很高的电压，因此，无论在存放还是在工作电路之中，都应在栅极－源极之间提供直流通路或加双向稳压对管保护，避免栅极悬空。焊接时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场，最好断电后再焊接。FET通常制成漏极和源极可以互

7、换，但有些产品出厂时已将源极和衬底连在一起，这时源极和漏极不能对调。5.5各种放大器件电路性能比较5.5各种放大器件电路性能比较组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCG电压增益：BJTFETCE：CC：CB：CS：CD：CG：输出电阻：BJTFET输入电阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：5.5各种放大器件电路性能比较解：画中频小信号等效电路例题放大电路如图所示。已知试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。例题则电压增益为由于则根据电路有P251：5.3.5作业