diode & triode(BJT).ppt

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1、半导体概述Semiconductionintroduction0.1电子技术概述0.2电子器件的基本材料-半导体0.3PN结退出基本半导体BasicSemiconductionPN结半导体基础知识与本章小结退出1.1半导体的基本知识SemiconductionKnowledgeRequire：Tomaster:SemiconductionKnowledgeTomaster:PNjunction退出半导体的特点CharacteristicClassificationOnlyCharacteristic导体Conductor半导体

2、Semiconduction热敏性Thermalsensitive光敏性PhotosensitivityCharacteristicsofimpurities绝缘体Insulator杂敏性退出SiStructurediagramGeStructurediagram1.1.1本征半导体Intrinsicsemiconductor退出价电子（热激发）自由电子-空穴对（1）温度越高，自由电子-空穴对数目越多；（2）自由电子-空穴数目相等，对外不显电性。硅（锗）原子在晶体中的共价键排列复合平衡退出注意：半导体与导体不同，内部有两种载流

3、子参与导电——自由电子与空穴。在外加电场的作用下，有：I=In（电子电流）+Ip（空穴电流）空穴导电的实质是价电子的定向移动！退出1.1.2.掺杂半导体Impuritysemiconductor本征半导体—掺入微量某种杂质元素，—N型和P型半导体。根据掺入杂质的不同掺杂半导体可以分为N型半导体P型半导体退出（1）N型半导体——杂质为少量5价元素，如磷（P）；（2）P型半导体——杂质为少量3价元素，如硼（B）。N型磷原子自由电子自由电子——多数载流子空穴——少数载流子P型硼原子空穴空穴——多子自由电子——少子退出注意：无论是N型

4、还是P型半导体都是电中性，对外不显电性！！！退出什么是PN结？PN结是P型与N型半导体区域交界处的特殊带电薄层，具有特殊的单向导电性，是半导体元器件制造的基础单元。退出载流子浓度差复合(耗尽层)内电场阻碍多子扩散帮助少子漂移扩散漂移动态平衡注意：动态平衡的PN结交界面上无电流流过，即I=0。内电场1.PN结的形成Formingprocess多子扩散空间电荷区平衡PN结P区N区1.1.3PN结形成与特性TheformationandcharacteristicsofPNjunction2.PN结的特性characteristic

5、sofPNjunction（1）PN结的正向导通特性——正偏导通（P区电位高于N区）内电场外电场所以，正偏时扩散运动增强，漂移运动几乎减小为0，宏观上形成很大的正向电流IF。外电场越强，正向电流越大，PN结的正向电阻越小。P区N区多子空穴多子自由电子正向电流IF+UR退出+UR（1）PN结的反向截止特性——反偏截止（P区电位低于N区）P区N区少子自由电子少子空穴反向电流IR内电场外电场所以，反偏时漂移运动增强，扩散运动几乎减小为0，由于少子数目较少，宏观上形成极小的反向电流IR（接近于0）。外电场增强，反向电流也几乎不增加

6、，PN结的反向电阻很大。退出2.PN结的特性characteristicsofPNjunction要记住：（1）外加正向电压时PN结的正向电阻很小，电流较大，是多子扩散形成的；（2）外加反向电压时PN结的反向电阻很大，电流极小，是少子漂移形成的。要注意：PN结电路中要串联限流电阻。退出退出1.2二极管DiodeRequire：Befamiliar:ParametersTomaster:Moduleofidealdiode,applications退出1二极管概述IntroductionofDiode常用D（Diode）表示二极

7、管。图中的箭头表示正偏时的正向电流方向。退出分类Classification：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型点接触型金属触丝N型锗P型层阳极阴极面接触型P型扩散层锡支架N型硅SiO2保护层阴极阳极2二极管的伏安特性V-ICharacteristicu/Vi/mA正向特性死区电压反向特性IS0μA击穿电压击穿特性反向电流硅管2CP12锗管2AP9退出一般小功率硅二极管与锗二极管几个典型参数的比较：死区电压硅管——0.5V锗管——0.1V正向导通压降UF硅管——0.7V锗管——0.3V反向电流IR硅管——几μA以

8、下锗管——几十到几百μA退出PN结的正向和反向电流与外加电压的关系可以用公式表示为：反向饱和电流温度的电压当量，常温下：UT=26mV当U>0时为正向特性；当U<0时为反向特性。退出3.二极管的主要参数mainparameters（1）最大整流电流IFM——指二极管长期工作时