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《信息纳米技术及其应用CH2纳米粉料.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、CH3纳米固体材料纳米固体:由纳米微粒组成的体相材料。包括:纳米块体:体型材料,如纳米陶瓷。纳米薄膜:颗粒膜、多层膜、纳米膜按结构分:纳米晶材料:nanocrystalline纳米非晶材料:nanoamorphous纳米准晶材料:nanoquasiperiodiccrystal纳米固体的制备:纳米金属与纳米合金制备、纳米陶瓷、纳米薄膜纳米固体的性能:纳米固体的结构特点、纳米固体的力学性能、热学性能、磁性能、光学性能、电学性能等3.1纳米固体的制备3.1.1纳米金属与纳米合金制备纳米粉→加压块状凝聚体(1)惰性气体蒸发,原位加压制备法制备粉粒→收集→低压→高压优点:块体纯度高、相对密度高(
2、最高达97%),可制备:Fe,Cu,Au,Pd等纳米金属块体,与Si25Pd70,Pd70Fe5Si25纳米合金。(2)高能球磨法制备纯金属纳米材料Cr,W,Fe,Zr,Hf,Rub.制备不互溶体系的纳米材料Ag-Cuc.纳米金属间化合物:Ti-B,Si-C,特别是高熔点的金属间化合物。d.金属与陶瓷的复合材料如:Y2O3粉复合到Co-Ni-Zr合金中,使合金Hc提高2个数量级。纳米MgOorCaO复合到Cu基体中,复合材料的导电率与Cu一样,但强度增大很多。球磨制备的纳米粉→加压、热处理→块状试样特点:产量大、工艺简单,可制备高熔点金属与合金材料。缺点:颗粒尺寸不均匀,易引入杂质。3.
3、1.2纳米陶瓷制备纳米粉+陶瓷工艺:成型、烧结烧结时,密度增加,晶粒增大。要通过工艺控制,使烧结后材料有较高的密度,又要防止晶粒的过大。烧结工艺:a.无压力烧结:工艺简单、成本低,但易出现晶粒快速长大及形成大气孔。方法:配方中添加晶粒生长抑制剂。如:ZrO2纳米掺入MgO,可抑制晶粒生长。b.应力有助烧结:在一定压力下烧结。操作复杂,成本高,但可获得未掺杂高密度陶瓷。如:应力烧结TiO2陶瓷P=1GPa,770k,Δρ=95%,十几nmP=0GPa,1270k,Δρ≈95%,约1umc.微波烧结:优点:节约能源,反应快,产品性能好,容易实现较高温度烧结,环保。COMPARISONOFHE
4、ATINGMECHANISMINCONVENTIONALANDMICROWAVEFURNACESampleFURNACEINSULATIONHEATINGELEMENTMICROWAVEPORTSampleINSULATIONMICROWAVECAVITYCONVENTIONALMICROWAVEEnergytransferExternalHeatingSourceHeatFlow:OutsidetoInsideMaterialIndependentEnergyLossesEnergyConversionInternalVolumetricHeatingInsidetoOutsideMa
5、terialDependentHighlyEnergyEfficientP=(0”E2+m0m”H2)P=Powerabsorbed=Frequency(2pf)0=Permittivityoffreespace”=DielectriclossfactorE=Intensityofelectricfieldm0=Permeabilityoffreespacem”=MagneticlossfactorH=IntensityofmagneticfieldMicrowaveenergyabsorbedbydielectricandconductivematerialsconduct
6、ivityofthematerialpermittivityinfreespacethefrequencyofthemicrowavedielectricconstantdielectriclossfactorRelativepermittivity:r=’+j”0’”fsDielectricallyLossyMaterialsP=0”E2TurntableZrO2InsulationSampleThermocoupleFiberfaxInsulationSusceptorMoSi2,SiCMicrowaveSinteringPacket2.45GHz,6kWMulti
7、modeBatchSystemMaximumtemperature:1800°CSamplesize:4-10inchdiameterControlledatmosphere:H2,N2,Ar,etal.4-inchPMGearsample3000ZnOvaristorssamplesTungsten,W纳米陶瓷优点a.超塑性,如纳米在低温下有超塑性,Δl>100%b.强度↑c.烧结温度大幅度↓(几百度),烧结速度↑,v∝1/d4(