电工学讲义7-二极管稳压管及整流滤波稳压电路.ppt

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1、下篇电子技术二极管及整流电路三极管及放大电路晶闸管及其应用集成运算放大器半导体二极管及整流电路导电能力介于导体和绝缘体之间。硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。纯净半导体导电能力不强，加入杂质后，导电能力增强。利用该特性，制成半导体二极管、三极管、晶闸管等。半导体半导体N型半导体P型半导体通过一定的工艺，使半导体一部分是P型，一部分N型，则中间交接面形成PN结。PN结PNPN结PN结的单向导电性实验PN+RIPN+RI0PN结正向偏置时，导通电流大，电阻小，称导通PN结反向偏置时，导通电流小，电阻大，称截止二极管由PN结加上

2、引出线和壳体构成，P极引出线称正极，N极引出线称负极。符号为：+–用万用表判别二极管的正负极–+黑红0黑红0+–半导体二极管基本结构(a)点接触型(b)面接触型结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。(c)平面型用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线指流过二极管的电流与二极管两端的电压之间的关系。不同二极管的伏安特性曲线有差别，但形状相似：U（V）0.40.8-50-25-208060

3、4020-40-60特点：非线性当二极管正向偏置：死区:硅管约0.5V，锗管约0.1V，正向电流非常小,这一电压称死区电压导通：当正向电压低于某一值，超过死区电压后,电流在很大范围内变化，而电压变化很小。硅管约0.60.7V，锗管约0.20.3V死区电压U（V）0.50.7-50-25-2080604020-40-60当二极管反向偏置关断：当二极管反向偏置,反向电流很小,锗管约几十A,小功率硅管小于1A击穿：当反向电压加大到某一值，反向电流突然急剧增大，二极管击穿烧坏。U(V)0.40.8-50-25-2080604020-40-

4、60反向击穿电压U(BR)伏安特性死区电压反向击穿电压U(BR)U（V）0.40.8-50-25-2080604020-40-60可见开关断开关闭0导通死区关断击穿U–U正向压降为0反向电阻无穷大理想二极管二极管的命名规则：2CP10如何选用二极管二极管的主要技术参数：1）最大整流电流ICM：二极管长期使用时,允许通过的最大正向平均电流。2）反向工作峰值电压URWM：保证二极管不击穿而给出的反向电压峰值，一般为击穿电压的1/2。2：二极管C：N型硅材料,A:P型锗材料P：普通型，K:开关管，Z：整流管,W：稳压管10：序号电路如图，求：U

5、ABV阳=－6VV阴=－12VV阳>V阴二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=－6V否则，UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V例1：取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3kBAUAB+–ui>8V，二极管导通，可看作短路uo=8Vui<8V，二极管截止，可看作开路uo=ui已知：二极管是理想的，试画出uo波形。8V例2：ui18V参考点二极管阴极电位为8VD8VRuoui++––两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的

6、电位。V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=－12VUD1=6V，UD2=12V∵UD2>UD1∴D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=0V例3:D1承受反向电压为－6V流过D2的电流为求：UAB在这里，D2起钳位作用，D1起隔离作用。BD16V12V3kAD2UAB+–二极管的用途整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。二极管整流电路将交流电变为脉动的直流电的过程，称整流利用二极管的单向导电性可实现整流0tu变压ut0整流分析时可把二极管当作理想元件处理：二极管的正向导通电阻为零，反向电阻

7、为无穷大。元器件：u2为正弦交流电源，D为二极管R为负载电阻Tr为变压器图中电流、电压正方向为正弦交流电正半周的方向u0u2+Tr-DRL+-i0单相半波整流电路u11.电路结构uDO2.工作原理u正半周，Va>Vb，二极管D导通；3.工作波形–++–aTrDuoubRLioutOuoOu负半周，Va

8、平均值为：0uT5整流二极管的选择二极管最大整流电流IOM：反向工作峰值电压URWM:(流过二极管的电流与负载电流相等)(二极管承受的最高反向电压=二极管截止时端电压最大值)u2+Tr-DR