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时间：2020-01-17
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1、晶界漏电分析工艺部2011年1月10日数据分析类别UOCISCRserIEC891RshuntDfDrFFEtaIREV1IREV201-09-D0.62108.31770.00273612.978.9816.760.03380.1011bin430.61367.81070.00270527.478.7615.510.04650.2515将bin43中晶界漏电的片子（计24pcs），重测效率与当天正常效率对比：1）UOC较正常片低0.074v；2）ISC低0.507A，相差较多；3)FF、Rs及Rsh相差不大；4)漏电流方面有很大差异。异常图片正向响应较差，反向有少量点状或
2、没有明显漏电。（9pcs）异常图片正向响应较差，反向有较多点状明显漏电，点数越多，漏电越大。（7pcs）异常图片正向响应较好，反向有少量点状明显漏电，点数越多，漏电越大。（4pcs）异常图片正向响应较差，反向有较多点状或斑块状明显漏电。（4pcs）异常分析由于材料自身缺陷，部分电池片会有体漏电（多发生于晶格交界处）现象。从而导致Isc明显下降，在其他条件相同的状况下，效率偏低。End!谢谢!
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