MOSFET及其放大电路.ppt

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1、第四章MOSFET及其放大电路4.3MOSFET放大电路的交流电路单级MOSFET放大器的三种基本组态：共源极放大电路共漏极放大电路共栅极放大电路增强型负载4.3.1MOSFET放大电路的线性化分析原理图4.16MOSFET的转移特性图4.17共源极电路图4.18输入输出电压信号波形1．跨导gm设MOSFET工作于放大区4.3.2MOSFET放大电路线性化模型的交流参数若则令则即gm是场效应管的跨导。跨导也可以通过求微分得到:注：跨导gm与静态工作点有关。2.交流输出电阻rDSMOSFET工作于放大区时，漏

2、极电流iD与漏源电压vDS无关?实际MOSFET的iD-vDS特性曲线在放大区的斜率不为零。当vDS>vds(sat)时，出现沟道长度调制。类似于BJT的基区宽调效应。对N沟道增强型MOSFET，这种倾斜现象可以用下式校正：如何确定λ－沟道长度调制参数？所有曲线的反向延长线都与电压轴相交于vDS=-VA处，电压VA为正，它与双极型晶体管的Early电压相似。令iD=0可得λ＝1/VA。4.3.3MOSFET放大电路的交流小信号线性模型图4.20N沟道增强型MOSFET的放大区交流小信号线性模型[例4.9]目

3、的：确定MOSFET的小信号电压增益。电路如图4.17所示。设VGSQ=2.12V，VDD=5V，RD=2.5kΩ。场效应管参数为VTN=1V，Kn=0.80mA/V，λ=0.02V-1。该场效应管工作于放大区。求AV=vo/vi。解题思路：求IDQ求交流参数gm和rDS画交流小信号等效电路求AV、Ri、Ro等解：=0.8×(2.12-1)=1.0mA=5-1×2.5=2.5V因此2.5V=2.12-1=1.12V场效应管确实工作于放大区。跨导＝2×0.8×(2.12-1)=1.79mA/V输出电阻K由图4

4、.21可求得输出电压为∥由于，所以小信号电压增益为=∥=-1.79×(50∥2.5)=-4.26说明：由于MOSFET的跨导较小，因此与双极型晶体管放大电路相比，MOSFET放大电路的小信号电压增益也较小。小信号电压增益为负，表明输出电压与输入电压的相位相差180°，即反相。