多晶硅酸蚀化学绒面制备添加剂

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1、多晶硅酸蚀化学绒面制备添加剂[摘要]本发明公开了一种多晶硅酸蚀化学绒面制备添加剂，包括酸性腐蚀液，在酸性腐蚀液中加有含氮无机盐、硅基表面活性剂。本发明使多晶硅片腐蚀的颜色均匀一致，减薄量符合要求，无针孔，无网纹，无明显色差的多晶硅绒面。在多晶硅制绒面后表面上制备氮化硅薄膜，用肉眼观察无明显的晶粒间界。[CN17238-0010-0002]多晶硅片制绒方法[摘要]本发明公开了一种多晶硅片制绒方法，包括低温高浓度酸液制绒、常温低浓度酸液制绒、稀碱洗、去除离子及钝化。本发明为多晶硅片制绒提供了更为适宜的酸性处理液和腐蚀制绒工艺条件，使得硅片表面的机械损伤层清除和制绒更易控制，能

2、精确控制硅片表面织构化程度和硅片的减薄量，能缩短制绒时间，提高电池片的制绒成品率；进而可降低表面反射率，增加光的吸收，增大短路电流，提高了电池的光电转化效率。[CN17238-0009-0003]多晶硅酸法制绒工艺本发明涉及太阳能电池的制作领域，尤其是太阳能电池的多晶硅酸法制绒工艺，(一)进行喷涂在硅片表面喷涂二氧化硅或光阻材料保护颗粒；(二)进行制绒将硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，进行制绒，喷涂在硅片表面的颗粒作为了刻蚀的保护层。本发明的有益效果是降低了硅片的反射率，提高效率。[CN17238-0013-0004]一种多晶硅太阳能电池湿法制绒工艺[摘要]本发明属于太阳

3、能电池制绒的技术领域，尤其涉及一种多晶硅太阳能电池湿法制绒工艺。该湿法制绒工艺包括硅片表面预处理步骤、碱溶液腐蚀步骤、腐蚀后的硅片表面残余物去除步骤，对硅片表面进行预处理后，再在硅片表面制备纳米掩膜层，然后将具有纳米掩膜层的硅片置于碱性溶液中进行腐蚀，最后进行表面残余物去除后，在硅片表面形成绒面。该工艺能将硅片表面反射率降低，进一步增加光的吸收，提高多晶硅电池效率。[CN17238-0001-0005]一种制备多晶硅绒面的方法[摘要]本发明属于制造多晶硅太阳能电池领域，涉及制备多晶硅片绒面技术。按照本发明所提供的设计方案，该多晶硅片绒面用酸腐蚀溶液制成，该酸腐蚀溶液是一种

4、氧化剂和氢氟酸混合液，其中，氧化剂的浓度范围为0.01到0.5摩尔/升，氢氟酸的浓度范围为1到15摩尔/升，温度范围为5摄氏度到50摄氏度，酸腐蚀时间范围为5分钟到60分钟。相比传统的采用碱溶液(NaOH或KOH)清除损伤层的方法，经本发明的酸腐蚀溶液腐蚀后的多晶硅片不仅可以形成均匀的绒面，而且可以提高太阳能电池转化效率5％以上。若将本发明的绒面多晶硅太阳能电池层压成组件，可进一步提高转换效率3％。本发明所提供的方法具有成本低，易操作和适宜大规模生产等特点。[CN17238-0002-0006]一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法[摘要]本发明公开了一种用于制备

5、多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法，所述溶液为由氧化剂和氢氟酸溶液混合制成，所述氧化剂为硝酸盐或亚硝酸盐。所述使用方法具体为：将切割成的多晶硅片放入酸腐蚀溶液中进行腐蚀反应，反应时间为30秒-20分钟，酸腐蚀溶液的温度为-10℃-25℃，所述反应时间、酸腐蚀溶液的温度与酸腐蚀溶液中氧化剂和氢氟酸的浓度相协调，以达到去除由线切割多晶硅而产生的损伤层的目的。采用本发明酸腐蚀溶液进行多晶硅绒面的制备，既适用于间隙操作的大规模生产，也适用于连续操作的大规模生产，同时生产中产生的废酸很容易处理。[CN17238-0011-0007]多晶硅太阳能电池片制绒设备[摘要]本发明公开一种多

6、晶硅太阳能电池片制绒设备，包括：多晶硅太阳能电池片制绒部分、多晶硅太阳能电池片酸洗部分和微机控制系统，所述多晶硅太阳能电池片制绒部分、多晶硅太阳能电池片酸洗部分均连接到微机控制系统，微机控制系统对晶硅太阳能电池片制绒部分、多晶硅太阳能电池片酸洗部分进行单独的控制或者协调控制。本发明可以减少二次污染，改善工作环境，提高生产效率；其次解决国外技术的垄断，为国产设备应用提供条件。[CN17238-0007-0008]磁场下制备硅太阳能电池绒面的方法[摘要]本发明公开了一种磁场下制备硅太阳能电池绒面的方法，具有以下工艺步骤：首先，将多晶硅片放入配好酸性反应液的绒面制备反应器中使其

7、反应，同时将绒面制备反应器放置于磁场中，反应液的配比为：硝酸或铬酸质量百分数为0.05％～15％，氢氟酸的质量百分数为1％～30％，磷酸或醋酸的质量百分数为1％～30％；反应液的温度保持在0℃～30℃，多晶硅片在酸性溶液中反应结束后，在0.5％～3％的氢氧化钠溶液中清洗1～5分钟；其次，磁场施加于多晶硅太阳能电池绒面制备的整个阶段，磁场强度保持在0～10T，绒面制备时间1～45分钟。通过该方法可以在多晶硅片表面生长致密均匀的绒面，从而实现磁场下酸性氧化剂多晶硅太阳电池绒面的高效均匀产生。[CN17238-0014-0009]一