宽禁带材料的发展

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1、宽禁带半导体材料及其器件应用新发展摘要：近几年以Sic为代表的宽禁带半导体材料以其宽的禁带宽度、高的击穿场强、高饱和漂移速度和高热导率，小介电常数和高的电子迁移率，以及抗辐射能力强等特性而成为国内外研究的热点，更成为制作高频、大功率、耐高温和抗辐射器件的理想材料。文章综述了SiC的材料特点、应用以及SiC材料发展现状及末来发展趋势。关键字：SiC宽禁带材料1.特点SiC是宽带隙半导体,室温下带隙为2.39eV(3C-S1C)〜3・33eV(2H-S1C)o通过对能带结构的研究发现，它们所有的价带-导带跃迁都有声子参与，也就是说这些类型的Si

2、C半导体都是间接带隙半导体。碳化硅独有的力学，光学，电学，和热属性使它在各种技术领域具有广泛的应用。SiC是H前发展最为成熟的宽禁带半导体材料,它冇效的发光来源于通过杂质能级的间接复合过程•因此，掺入不同的杂质，可改变发光波长，其范围覆盖了从红到紫的各种色光•实验上发现SiC与氮化物町形成一种稳定单晶结构的固溶体，晶格常数与6HSiC基本匹配，当纽分x达到一定值时，将发牛间接带隙向直接带隙的转变。一口变成直接带隙，其发光性能将大幅变化，在短波长发光和超高亮度二极管方而有巨大的应用潜力。同时SiC具有高热导率、高电了饱和漂移速度和大临界击穿电

3、压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料。2.国内外发展现状SiC是H前发展最成熟的宽禁带半导体材料，SiC器件能耐高温(500度以上)、高电压(1200V以上)，具有功率人、电流人、功耗小、频率高等优良特性，适用于人型电气设备系统,军用武器装备系统等，其耐差环境的特性是其他材料无法比拟的。SiC蓝光LED是唯一商品化的SiC器件，各利％iC多型体的LED覆盖整个nJ见光和近紫外光区域。6H-S1C纯绿光(530nm)的LED通过注入A1或液相外延得到,蓝光二极管是N-A1杂质对复合发光,4H-S1C蓝光

4、二极管是N-B杂质对复合发光。美国Cree公司是最早研究和生产SiC晶体和晶片的公司,其研制的蓝光LED发光中心为470nm,发光功率达到18微乩。他们在1997年到1998年之间就可以生产2到3英寸的SiC晶片。该公司后來同H本著名的日亚化学公司合作牛产蓝光和紫光LED器件。最近儿年，欧盟和法国分別启动棊J:SiC的半导体器件重大项口，极大地推动了SiC研究在欧洲的进度。SiC作为第三代宽禁带半导体的典型代表，无论是单晶衬底质量、导电的外延层和高质量的介质绝缘膜和器件工艺等方面，都比较成熟或有可以借鉴的SiC器件工艺作参考，由此可以预测在

5、未来的宽禁带半导体器件中，SiC将担任主角，独霸功率和微电子器件市场。我国在SiC单晶和基片研究方面落后国外5到8年的时间。山东大学晶体材料国家重点实验室利用自行设计的站堀和温场，稳定、重复地生长出了直径大于50.8mm的6H-SiC晶体，品体厚度大于20mmo中国科学院物理研究所成功牛长岀直径为50.8mm、厚度为25.4mm,具有较高质量的6H多型SiC单晶。除LED外，SiC器件还处于研制阶段。一方面SiC材料，特别是3C-S1C中的各种缺陷影响器件性能，另一方而与辭件相关的工艺使得SiC的优势尚未得到开发。表1是SiC发展概况。Po

6、wer4H-6HSic

7、4HSiCJFET6H-DevicesETCMESFETFETJFETomment6OOV»8Adevicesfabricated2=42GHz—=25GHz,8.5dbat1OGHzp*=34Ocm2・Wyat3OOKEnhance-mentmodeOver1kVbreakdownat3OOKE673673673723873973表1Sic发展概况从材料木身出发来讲，4H-SiC由于处于自由排列状态而具有比氮化稼更显著的优点,虽然它仅作为一个重掺杂的N型衬底。目而，它是一•种非常昂贵的材料，由生产的SiC品圆

8、设备的费用高达等效硅晶片价格的50倍。虽然这是不现实的，由于材料在完整的设备或系统中的成木，和对于如制造，外延，包装，配送费用等单个成木往往较低。通常，额外的成本可以在提高系统的整体效率，减少了系统的体积，重量，或降低其冷却要求方面考虑。然而，基于碳化硅品圆变得更具成本竞争力，碳化硅品圆尺寸以及每片品圆设备产量器件都在增加。lOOnm品圆现在无处不在,150nm品圆也开始商业化。此外，山于大幅度提高产量，材料的质量与十多年前相比是无法识别。所谓的“致命缺陷”-微管-现在在优质材料屮C经被根除，而促进双极型器件的正向电压漂移的基底面位错正在减

9、少，但对于要实现长载流子寿命必要的电导率调制双极型器件来说仍然太高。无论如何，SiC器件的最近商业化可以归因于在材料质量的大量提高。在高电压下，功率器件(功率MOSFET,TGB