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时间:2019-11-30
《传感器原理及应用资料课程试题A卷》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库。
1、复习一、填空(在下列括号中填入适当的词汇,使其原理成立)1、传感器的灵敏度是指稳态标准条件下,输出变化量与输入变化量的比值。对线性传感器来说,其灵敏度是常数。2.用石英晶体制作的压电式传感器中,晶面上产生的电荷与作用在晶面上的压强成正比,而与晶片几何尺寸和面积无关。3、有源滤波器由集成运放和__RC网络__组成。4、采用热电阻作为测量温度的元件是将温度的测量转换为电阻的测量。5、单线圈螺线管式电感传感器主要由线圈、铁磁性外壳和可沿线圈轴向移动的活动铁心。6、被测非电量的变化转换成线圈互感变化的互感式传感器是根据变压器的基本原理制成的,其次级绕组都用同名端反向形式连接,所
2、以又叫差动变压器式传感器。7.闭磁路变隙式电感传感器工作时,衔铁与被测物体连接。当被测物体移动时,引起磁路中气隙尺寸发生相对变化,从而导致圈磁阻的变化。8、动态标定的目的,是检验测试传感器的动态性能指标。9、在电阻应变片公式,dR/R=(1+2μ)ε+λEε中,λ代表__材料压阻系数。10、已知某铜热电阻在0℃时的阻值为50Ω,则其分度号是CU50,对于镍铬-镍硅热电偶其正极是镍铬。11、红外图像传感器由红外敏感元件和电子扫描电路组成。12、空气介质变隙式电容传感器中,提高灵敏度和减少非线性误差是矛盾的,为此实际中大都采用差动式电容传感器。13、当半导体材料在某一方向承
3、受应力时,它的电阻率发生显著变化的现象称为半导体压阻效应。14.影响金属导电材料应变灵敏系数K。的主要因素是导电材料几何尺寸的变化。15.为了测得比栅距W更小的位移量,光栅传感器要采用细分技术。16.若测量系统无接地点时,屏蔽导体应连接到信号源的接地端(第8页共3页)1、在以下几种传感器当中(压电式)属于自发电型传感器。2.下列被测物理量适合于使用红外传感器进行测量的是(温度)。3、在热电偶测温回路中经常使用补偿导线的最主要的目的是(C)。C.将热电偶冷端延长到远离高温区的地方4、利用相邻双臂桥检测的应变式传感器,为使其灵敏度高、非线性误差小,(A)。A.两个桥臂应当分
4、别用应变量变化相反的工作应变片5、在光的作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,引起物体电阻率的变化,这种现象称为(光电导效应)。6、改变电感传感器的引线电缆后,(必须对整个仪器重新标定)。7、自感传感器采用相敏检波电路最重要的目的是为了(C)。C.使检波后的直流电压能反映检波前交流信号的幅度和相位8、按照工作原理分类,固体图象式传感器属于(光电式传感器)。9、单色光的波长越短,它的(A频率越高,其光子能量越大)。10、差动电桥由环境温度变化引起的误差为(0)11、属于传感器动态特性指标的是(固有频率)。12、(热端和冷端的温差)的数值越大,热电偶的输出热电势
5、就越大。13、热电阻测量转换电路采用三线制是为了(减小引线电阻的影响)。14、当石英晶体受压时,电荷产生在(B.X面上)15、减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是(A使用电桥调零电位器)16、发现某检测仪表机箱有麻电感,必须采取(B将机箱接大地)措施。17、在实验室中测量金属的熔点时,冷端温度补偿采用(C.冰浴法)。18、电涡流式传感器激磁线圈的电源是(A高频交流)19、固体半导体摄像元件CCD是一种(BNPN型晶体管集成电路)20、将电阻R和电容C串联后再并联到继电器或电源开关两端所构成的RC吸收电路,其作用是(B消除电火花干扰)。21.电阻应变片的初始电阻数值有多种
6、,其中用的最多的是(120Ω)22.下列三种铂热电阻的测量范围有一种是我国目前使用的(A)。(第8页共3页)1、金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同?答:金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的,半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的。2、压电式传感器测量电路的作用是什么?其核心是解决什么问题?答:压电式传感器测量电路的作用是将压电晶体产生的电荷转换为电压信号输出,其核心是要解决微弱信号的转换与放大,得到足够强的输出信号。3、简述光电池的工作原理?指出它应工作在电流源还是电压源状态。答:光电池是基于光生伏特效应制成
7、的,是自发电式,是有源器件。它有较大面积的P--N结,当光照射在P--N结上时则在结的两端出现电动势。它应工作在电压源状态。4、什么是金属导体的热电效应?试说明热电偶的测温原理。答:热电效应就是两种不同的导体或半导体A和B组成一个回路,其两端相互连接时,只要两结点处的温度不同,回路中就会产生一个电动势,该电动势的方向和大小与导体的材料及两接点的温度有关。热电偶测温就是利用这种热电效应进行的,将热电偶的热端插入被测物,冷端接进仪表,就能测量温度。5、简要说明差动变压器中零点残余电压的产生原因。、答:零残电压包括基波和谐波分量。基波分量主要是
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