微电子封装技术答案

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1、《微电子封装技术》试卷标准答案一、填空题（每空2分，共40分）1、膜技术2、粘度3、金属氧化物4、金属5、转移成型技术6、软式印制电路板7、极性/非离子污染8、热膨胀系数9、倒线10、可靠性11、陶瓷球栅阵列12、预型片13、打线键合14、光刻工艺15、挥发性物质16、四边引脚17、凸点18、功能相19、收缩20、倒装芯片。二、简答题（每小题6分，共30分）1、答：一般可将厚膜浆料分为：聚合物厚膜、难熔材料厚膜与金属陶瓷厚膜三种类型。…………………………………………2分传统的金属陶瓷厚膜包括4种成分

2、，分别为：（1）有效物质：确定膜的功能，即确定膜为导体、介质层、电阻。…………………………………………1分（2）粘贴成分：提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体。…………………………………………1分（3）有机粘贴剂：提供丝网印刷印制的合适流动性能。…………………………………………1分（4）溶剂或稀释剂：它决定运载剂的粘度。…………………………………………1分2、答：（1）传递电能，主要是电源电压的分配和导通。（2）传递电信号，主要是将电信号的延迟尽可能减小，在布线时应尽可能使信号线与芯

3、片的互联路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。（3）提供散热途径，主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散失的问题。（4）提供结构保护与支撑，主要是指芯片封装的机械可靠性。…………………………………………6分3、答：工艺流程如下：……………………3分先划片后减薄：即在背面磨削之前先将硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削；减薄划片：即在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出切口，然后用磨削的方法减薄到一定厚度以后，采用常压等离子体腐蚀去除剩余加工量，实

4、现裸芯片的自动分离。……………………3分4、答：工艺流程如下：PCB板覆铜箔——镀胶（光刻胶，正胶或负胶）——曝光（利用掩膜板，正胶的掩膜板和实际电路模型一样，负胶的掩膜板则是实际电路外地线路模型）——显影（显出实际电路图型，以正胶为例）——镀锡（保护实际电路防止污染）——去胶（显出非电路部分的铜箔，实际电路被锡覆盖）——刻蚀（刻蚀掉非线路部分的铜箔）——去锡（显出实际电路图形）。……………………6分5、答：常见缺陷：金线偏移、翘曲、锡珠、墓碑现象、空洞。……………………2分产生金线偏移的原因分析：

5、树脂流动产生的拖曳力；导线架变形；气泡移动；过保压/迟滞保压；填充物的碰撞。……………………4分三、论述题（每题15分，共30分）1、答：（一）波峰焊与再流焊的工艺特点及原理分析（1）波峰焊工艺特点先将微量的贴片胶印刷或滴涂到元器件底部或其边缘位置处，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置，然后再将贴装好元器件的印制板放在再流焊设备的传送带上，进行胶固化。固化后的元器件被牢固黏结在印制电路板上，然后进行分立元器件的插装，最后与插装元器件同时进行波峰焊接。……………………2分（2）再流焊工艺特点先将

6、微量的锡膏印刷或滴涂在印制电路板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制电路板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件的印制电路板放在再流焊的传送带上，从炉子入口到出口大约5——6min即可完成干燥、预热、融化、冷却全部焊接过程。……………………2分（3）再流焊原理分析①当PCB进入升温区时，锡膏中的溶剂、气体蒸发掉，同时焊膏中的助焊剂润湿焊盘、元器件端头和引脚，焊膏软化、塌落，覆盖焊盘，将焊盘、元器件引脚与氧气隔离。②PCB进入保温区时，PCB和元器件得到充分的预热，以防止PCB突然进入焊接高温区儿损坏了P

7、CB和元器件。③当PCB进入焊接区时，温度迅速上升使焊膏达到融化状态，液态焊锡对PCB板的焊盘、元器件端头和引脚润湿、扩散、漫流或混合形成焊接点。④PCB进入冷区时，使焊点凝固，再流焊完成。……………………3分（4）两者的区别波峰焊：事先固定（粘结、贴装）元器件，然后焊接，不发生芯片的移动。再流焊：焊膏临时固定元器件，焊膏熔融时，芯片会“在流动”一次，因此元器件位置会受熔融焊膏表面张力的影响而发生位置移动。……………………2分（二）提高再流焊质量的方法分析（1）严格控制PCB焊盘设计参数正确的焊盘设

8、计，能保证在发生倾斜贴装的情况下，利用熔融焊锡的再流特性加以纠正；否则，容易出现元器件位置偏移、吊桥等缺陷。焊盘设计标准：a、对称性：两端焊盘必须对称，以保证熔融焊锡表面的张力平衡。b、焊盘间距：确保元器件端头或引脚与焊盘有恰当的搭接尺寸，间距过大或过小都会引起焊接缺陷c、焊盘剩余尺寸：正确焊接后，焊盘必须留有一定的剩余尺寸。d、焊盘宽度：应与元器件端头或引脚的基本宽度一致。……………………2分（2）焊膏质量及焊膏的正确使用主要由焊膏的成分决定，焊膏中金属粉末的含氧量