高电压课后选题答案

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1、第一章1-1简要分析汤逊理论与流注理论对气体放电过程，电离因素以及自持放电条件的观点有何不同？并说明这两种理论各自的适用范围.汤逊理论:电子碰撞电离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。电离的主要因素是空间碰撞电离。正离子碰撞阴极导致的表面电离是自持放电的必要条件。适用范围，均匀场、低气压、短气隙( Pd<27kPa.cm )流注理论：空间的光电离是气体放电的主要原因。电离的主要因素是空间的光电离。流注理论自持放电条件:间隙中一旦出现流注，放电就可以由空间

2、光电离自行维持。适用范围，高气压、长气隙( Pd>27kPa.cm )1-4试分析极间距离相同的正极性棒-板与负极性棒-板自持放电前·后的气体放电的差异。自持放电前的阶段（电晕放电阶段）正极性“棒—板”：因棒极带正电位，电子崩中的电子迅速进入棒极，正离子暂留在棒极附近，这些空间电荷削弱了棒极附近的电场而加强了外部空间的电场，阻止了棒极附近流注的形成，使得电晕起始电压有所提高负极性“棒—板”：因棒极带负电位，电子崩中电子迅速向板极扩散，正离子暂留在棒极附近，这些空间电荷加强了棒极附近的电场而消弱了外部空间的电场，使得棒极附

3、近流注容易形成，降低了电晕起始电压电晕放电电压：正极性“棒—板”〉负极性“棒—板”自持放电后的阶段（击穿放电阶段）正极性棒—板：当电压进一步提高，随着电晕放电区的扩展，强场区逐步向板极推进，流注发展是顺利持续的，直至气隙被击穿，其击穿电压较低负极性棒—板：当电压进一步提高时，电晕区不易向外扩展，流注发展是逐步顿挫的，整个气隙的击穿是不向外扩展，流注发展是逐步顿挫的，整个气隙的击穿是不顺利的，其击穿电压比正极性时高得多，击穿完成时间也要长得多击穿放电电压：正极性“棒—板”〈负极性“棒—板”1-5试对极间距离相同的正极性棒-

4、板·负极性棒-板·板-板·棒-棒四种电极分布的气隙直流放电电压进行排序？并简述这种排序的原因。负极性棒-板最高（正空间电荷产生的附加电场与原电场方向相反，削弱了外部空间的电场，阻碍了流注的发展，因此击穿电压较高），其次是棒-棒和板-板，最小的是正极性棒-板稍不均匀电场击穿电压高于极不均匀电场；由于极性效应，正棒负板应低于负棒正板，由于存在正极尖端，所以负极性“棒棒”应该比负棒正板低1-8气隙的伏秒特性是怎样绘制的？研究气隙的伏秒特性有何实用意义？绘制过程：1.保持一定的冲击电压波形不变，而逐级升高电压使气隙发生击穿，以电

5、压为纵坐标，时间为横坐标2.电压较低时，击穿一般在波长时间发生，取该电压的峰值与击穿时刻，得到相应的点3.电压较高时，击穿一般在波前时间发生，取击穿时刻的电压值及该时刻，得到相应的点4.将各点连接起来，即可得到伏秒特性曲线。意义(用途）：1.间隙伏秒特性的形状决定于电极间电场分布2.伏秒特性对于比较不同设备绝缘的冲击击穿特性具有重要意义1-10如何提高气隙的放电电压？(如何提高气体介质电气强度？）1、改善电场分布，使之尽量均匀改进电极形状以改善电场分布；利用空间电荷畸变电场的作用改善电场分布；极不均匀电场中采用屏障改善电

6、场分布2、削弱或抑制电离过程采用高电压；采用强电负性气体；采用高真空1-12简述绝缘污闪的发展过程及防污措施。发展阶段：大体可分为积污，受潮，干区形成，局部电弧的出现和发展等阶段防污措施：增大爬电比距(泄漏比距)；清扫表面积污；用防污闪涂料处理表面；采用半导体釉和硅橡胶的绝缘子第二章2-2什么是绝缘的吸收现象？如何根据吸收现象判断电气绝缘的状况？电气设备的绝缘都是多层的，这些多层绝缘体，在外施直流电压下，就有吸收现象，即电流逐渐减小，而趋于某一恒定值(泄漏电流)。这种绝缘介质在充电过程中逐渐吸收电荷的现象叫做吸收现象。因

7、为通过介质的电流与介质电阻的测量值成反比，如被试品绝缘状况愈好，吸收过程进行得愈慢，吸收现象便愈明显。如被试品严重受潮或其中有集中性导电通道，由于绝缘电阻显著降低，泄漏电流增大，吸收过程快，这样流过绝缘的电流便迅速变为一较大的泄漏电流。因此可根据被试品的电流变化情况来判断被试品的绝缘状况。2-3试比较电介质的电导和导体的电导有何不同？电介质的电导是离子性电导，而金属导体的电导是电子性电导；电介质的电导率小，导体的电导率大；随温度升高，电介质的电导率增大，导体的电导率减小。2-4为什么绝缘的介电特性通常用它的介电常数ε和介

8、损正切tanδ来描述？tanδ是频率的函数，是电介质的自身属性，与试样的大小和形状无关。可以和介电常数同时测量，用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。Tanδ=介质损耗的功率（有功功率）/无功功率同时，介电损耗也是表示绝缘材料（如绝缘油料）质量的指标之一。介电损耗愈小绝缘材料的质量愈好，绝缘质量也愈好。2-5气体、液体、固