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《模电1-3章课后习题》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、填空1.和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。2.整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。3.三极管工作在放大状态吋，发射结应正偏置,集电结应反偏置。若工作在饱和状态时，发射结应正偏置,集电结应正偏置。若工作在截止状态时，发射结应反偏置,集电结应反偏置。4.三极管电流放大系数B=50,则a=0.98；若a=0.99,则B=99。5.当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放
2、大系数B理大，穿透电流Ire增加,当Ib不变时，发射结正向压降血
3、减小。6.共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；若负载电阻Rl变小时，其电压增益将变小。7.单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小；产生饱和失真的原因是Ic偏人；若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。&试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路;通频带较宽的是一共基电路:输入电阻较小的是共基电路:输岀电阻较小的是共集电路;输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路;电压增益小
4、于1的是共集电路;带负载能力较强的是共集屯路;既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。9.单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为・100,当信号频率为上限频率站时，这时电路的实际增益为・77.7,其输岀与输入信号的相位相差-225So9.某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的屮频电压放大倍数为100倍,上限频率站=2X"Hz,下限频率f「=20Hz,当信号频率恰好为站或纪时，实际电压增益为37dBo10.在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生的，漂移运动是载流
5、子在内电场作用下产生的。11.放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。12.在三极管多级放大电路中，已知AVi=20,Av2=・10,Av3=1，Avi是共基放大器，As是一共射放大器,Aw是一共集放大器。14•射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1、输入电阻比较大、输出电阻比较小°15.半导体屮有白由屯子和空穴两种载流子。本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。16•温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度增加,多子浓度基本不变
6、°17.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的半导体中加入微量的杂质。1&N型半导体的多数载流子是一自由电子，少数载流子是一空穴。19.P型半导体的多数载流子是一空穴,少数载流子是自由电子。20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。19.PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。20.BJT所代表的电气元件是双极型三极管。23•三极管的三个工作区域分别是一饱和区、线性放大区和截止区。24.静态工作点Q点一般选择在交流负载线的中央。
7、25.根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。26.MOSFET所代表的电气元件是金属一氧化物一半导体场效应管。27.共集电极电路乂被称为电压跟随器；共基极电路乂被称为电流跟随器。2&静态工作点Q点选得过低会导致截止失真;Q点选得过高会导致饱和失真。29.三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同吋基区厚度要很薄；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。30.对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输岀器的电路是共集电
8、极电呈、称为电流跟随器的电路是共基极电路、称为电压跟随器的电路是仝集屯极屯路。31.在BJT的三种基本放大电路中，同吋具有电压和电流放大作用的电路是主射极放大电路；仅具有电压放大作用的电路是共集电极电路；仅具有电流放大作用的电路是共基极电路。32.场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。33.稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；反向截止；反向击穿）。34.半导体三极管属于电流控制器件,而场效应管属于电压控制器件。35.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1；输入电阻很
9、大；输出电阻很小。36.多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的丄览。37.将几级放大屯路串联起来后，总电压増益虽然提高了，但通频带变窄了。29.JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感应电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。30.对于下图所示电路，设VCC=12V,Rb=510kQ,Rc=8kQ,VBE
