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时间:2019-08-27
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1、Buck变换器:也称降圧式变换器,是一种输出电圧小于输入电压的单管不隔离直流变换器。图中,Q为开关管,其驱动电压一般为PWM(Pulsewidthmodulation脉宽调制)信号,信号周期为Ts,则信号频率为f二1/Ts,导通吋间为Ton,关断吋间为Toff,则周期Ts二Ton+Toff,占空比Dy二Ton/Ts。Boost变换器:也称升压式变换器,是一种输出电压高于输入电压的单管不隔离直流变换器。开关管Q也为PWM控制方式,但最大占空比Dy必须限制,不允许在Dy二1的状态下工作。电感Lf在输入侧,称为升压电感。Boost变换器也有CCM和DCM两种工作方式Buck/Boost变换器:也称升
2、降压式变换器,是一•种输出电压既可低于也可高于输入电压的单管不隔离直流变换器,但其输岀电压的极性与输入电压相反。Buck/Boost变换器可看做是Buck变换器和Boost变换器串联而成,合并了开关QLfIBuck/Boost变换器也有CCM和DCM两种工作方式,开关管Q也为PWM控制方式。(1)Buck电路——降床斩波器,其输出平均电压U0小于输入电压Ui,极性相同。(2)Boost电路升压斩波器,其输出平均电压U0大于输入电压Ui,极性相同。(3)Buck-Boost电路一一降压或升压斩波器,其输出平均电压U0大于或小于输入电压Ui,极性相反,电感传输。(4)Cuk电路一一降压或升压斩波器
3、,其输出平均电压U0大于或小于输入电压Ui,极性相反,电容传输。DC-DC分为BUCK、BUOOST、BUCK-BOOST三类DC-DC。其中BUCK型DC-DC只能降压,降压公式:Vo二Vi*DBOOST型DC-DC只能升压,升压公式:Vo=Vi/(1-D)BUCK-BOOST型DC-DC,即可升压也可降压,公式:Vo二(-Vi)*D/(1-D)D为充电占空比,既MOSFET导通时间。04、量或计算用屯设备的最人吸收电流,以使被选用的开关电源具冇高的性能价格比,通常输出计算公式为:Is二KIf式中:Is—开关电源的额定输出电流;If—用电设备的最大吸收电流;K—裕量系数,一般取1.5〜1・&电容式开关电源它们能使输入电压升高或降低,也可以用于产生负电压。其内部的FET开关阵列以一定方式控制快速电容器的充电和放电,从而使输入电压以一定因数(0.5,2或3)倍增或降低,从而得到所需要的输出电压。这利「特别的调制过程可以保证高达80%的效率,而且只需外接陶瓷电容。曲于电路是开关工作的,电荷泵结构也会产生一定的输出纹波和EMI(电磁干扰)通常用下列公式计算磁环电子镇流器振荡频率(Hz):5、f=10000*v/N/k/B/S式中:V为绕组的驱动电压(V);N为绕组圈数;K为系数,矩形波取4.0;B为磁芯饱和磁通密度(T);S为磁坏有效截面积(cm*cm)。示三个参数是磁环固有的。选定了磁环,这三个参数就定了。问题在于磁环绕组的驱动电压,到底看初级还是次级?我见过的所有引川此公式的文章都说是初级,但都说不清绕纽的驱动电压是多少,都是随便设一个。有设1伏的,也有设2.5伏的。据此算振荡频率,你信吗?其实,由于初级串有一个人电感,其电压是不确定的。反倒是次级绕组的驷动电压比较确定。导通电压三极管0.7伏,场效应管3伏左右,这就是次级绕纟R的驱动电压。如果有发射极或漏极电阻,还要加上发射6、极或漏极电流流过该电阻产生的电压降。这里电流电压均是指峰值。计算举例:某三极管磁环电子镇流器,发射极电流0.5安,发射极电阻1欧,磁环次级绕组3圈,磁芯饱和磁通密度0.45特,磁坏有效截面积0.1平方厘米。振荡频率f=10000*(0.7+0.5*l)/3/4/0.45/0.1=22222Hz如果换成场效应管,其它条件不变。振荡频率f=10000*(3+0.5*l)/3/4/0.45/0.1=64815Hz本计算最有用的结论是:振荡频率•次级圈数成反比,M初级圈数关系不大。我据此做过实验:1.次级圈数山3圈改为1圈,振荡频率提高约为原来的3倍;2.初级圈数由9圈分别改为4圈或20圈,振荡频率没7、多人变化。3.发射极电流或发射极电阻增大,振荡频率提高;发射极电流或发射极电阻减小,振荡频率降低。M0S管驱动电路总结孫时间:2011J1-041178次阅读【网友评论1条我要评论】收藏在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑M0S的导通电阻,最大电圧等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。下
4、量或计算用屯设备的最人吸收电流,以使被选用的开关电源具冇高的性能价格比,通常输出计算公式为:Is二KIf式中:Is—开关电源的额定输出电流;If—用电设备的最大吸收电流;K—裕量系数,一般取1.5〜1・&电容式开关电源它们能使输入电压升高或降低,也可以用于产生负电压。其内部的FET开关阵列以一定方式控制快速电容器的充电和放电,从而使输入电压以一定因数(0.5,2或3)倍增或降低,从而得到所需要的输出电压。这利「特别的调制过程可以保证高达80%的效率,而且只需外接陶瓷电容。曲于电路是开关工作的,电荷泵结构也会产生一定的输出纹波和EMI(电磁干扰)通常用下列公式计算磁环电子镇流器振荡频率(Hz):
5、f=10000*v/N/k/B/S式中:V为绕组的驱动电压(V);N为绕组圈数;K为系数,矩形波取4.0;B为磁芯饱和磁通密度(T);S为磁坏有效截面积(cm*cm)。示三个参数是磁环固有的。选定了磁环,这三个参数就定了。问题在于磁环绕组的驱动电压,到底看初级还是次级?我见过的所有引川此公式的文章都说是初级,但都说不清绕纽的驱动电压是多少,都是随便设一个。有设1伏的,也有设2.5伏的。据此算振荡频率,你信吗?其实,由于初级串有一个人电感,其电压是不确定的。反倒是次级绕组的驷动电压比较确定。导通电压三极管0.7伏,场效应管3伏左右,这就是次级绕纟R的驱动电压。如果有发射极或漏极电阻,还要加上发射
6、极或漏极电流流过该电阻产生的电压降。这里电流电压均是指峰值。计算举例:某三极管磁环电子镇流器,发射极电流0.5安,发射极电阻1欧,磁环次级绕组3圈,磁芯饱和磁通密度0.45特,磁坏有效截面积0.1平方厘米。振荡频率f=10000*(0.7+0.5*l)/3/4/0.45/0.1=22222Hz如果换成场效应管,其它条件不变。振荡频率f=10000*(3+0.5*l)/3/4/0.45/0.1=64815Hz本计算最有用的结论是:振荡频率•次级圈数成反比,M初级圈数关系不大。我据此做过实验:1.次级圈数山3圈改为1圈,振荡频率提高约为原来的3倍;2.初级圈数由9圈分别改为4圈或20圈,振荡频率没
7、多人变化。3.发射极电流或发射极电阻增大,振荡频率提高;发射极电流或发射极电阻减小,振荡频率降低。M0S管驱动电路总结孫时间:2011J1-041178次阅读【网友评论1条我要评论】收藏在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑M0S的导通电阻,最大电圧等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。下
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