电子技术基础第一章(教案)

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1、课题1.1半导体二极管■课型新课授课班级授课时数2教学目标1.熟识二极管的外形和符号。2.掌握二极管的单向导电性。3.理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数。教学重点二极管的单向导电性。教学难点二极管的反向特性。淨学情分析教学效果教后记新课A.引入口然界中的物质,按导电能力的不同,町分为导体和绝缘体。人们又发现述有一类物质,它们的导电能力介于导体和绝缘体Z间,那就是半导体。B.新授课1.1半导体二极管1.1.1什么是半导体(讲解)1.半导体:导电能力随着掺入杂质、输入电压(电流)、温度和光照条件的不同而发生很人变化,人们把这一类物质称为半导体。2.载流了:半导体中存在的两种携

2、带电荷参与导电的“粒了”。(1)口由电子:带负电荷。(2)空穴:带正电荷。特性:在外电场的作用下,两种载流子都可以做定向移动,形成电流。3.N型半导体:主要靠电子导电的半导体。即:电了是多数载流了,空穴是少数载流了。4.P型半导体:主耍靠空穴导电的半导体。UIJ:空穴是多数载流子,电子是少数载流子。1.1.2PN结(引入实验电路,观察现象)1.PN结:经过特殊的工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面,称为PN结。2.实验演示(1)实验电路PN结PN结(2)现象所加电压的方向不同,电流表指针偏转幅度不同。(3)结论PN结加

3、正向电压时导通,加反向电压时截止,这种特性称为PN结的单向导电性。3.反向击穿:PN结两端外加的反向电压增加到一定值吋,反向电流急剧增大,称为PN结的反向击穿。4.热击穿:若反向电流增人并超过允许值,会使PN结烧坏,称为热击穿。5.结电容PN结存在着电容,该电容称为PN结的结电容。1.1.3半导体二极管利用PN结的单向导电性,可以用來制造一种半导体器件——半导体二极管。1.半导体二极管的结构和符号(1)结构:由于管芯结构不同,二极管又分为点接触型(如图a)、面接触型(如图b)和平面型(如图c)。正极引线(展示各种二极管)正极负极H金属丝N型猪晶片支架正极引线二氧化硅保护层P型再结

4、晶层PN结型硅(或错)”接触层电极弋'支架Lb负极引钱F负极引线p型硅PN结N型硅Ao—(正极)PN>1A/AoV(引导分析伏安特性)(b)(2)符号:如图所示,箭头表示正向导通电流的方向。—oK(负极)oK2.二极管的特性二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流來决定,这两者Z间的关系称为二极管的伏安特性。硅二极管的伏安特性曲线如图所示。(1)正向特性(二极管正极电压人于负极电压)①死区:当止向电压较小时,正向电流极小,二极管呈现很大的电阻,如图中OA段,通常把这个范围称为死区。死区电压:硅二极管0.5V左右,错二极管0」V~0.2V。②正向导通:当外加电压人

5、于死区电压后,电流随电压增大而急剧增大,二极管导通。导通电压:硅二极管0.6V~0.7V,锵二极管0.2V〜0.3Vo(2)反向特性(二极管负极电压大于正极电压)①反向饱和电流:当加反向电压时,二极管反向电流很小,而且在很人范围内不随反向电压的变化而变化,故称为反向饱和电流。②反向击穿:若反向电压不断増人到一定数值时,反向电流就会突然增人,这种现彖称为反向击穿。普通二极管不允许出现此种状态。由二极管的伏安特性可知,二极管属于非线性器件。3.半导体二极管的主要参数(1)最人整流电流厶:二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。(2)最高反向工作电压VRM:二极管正常使用时允许加的最

6、高反向电压。(讲解)A练习1.晶体二极管加一定的电压时导通,力口电压时,这一导电特性称为二极管的特性。2.二极管导通示,正向电流与正向电压呈关系,正向电流变化较人时,二极管两端正向压降近似于,硅管的正向压降为V,緒管约为V。小结1.PN结具有单向导电性。2.用PN结可制成二极管。符号如图所示。AoNK(正极)(负极)、/VAPNK3.二极管的伏安特性分正向特性和反向特性两部分。"at布置作业P22习题一1-1,1-2,1-3,1-4,l-5o课题1.2半导体三极管■课型新课授课班级授课时数2教学目标1.掌握三极管的结构、分类和符号。2.理解三极管的电流放人作用。3.掌握三极管的基

7、本连接方式。0教学重点三极管的结构、分类、电流放大作用。教学难点三极管的电流放大作用。学情分析教学效果教后记新课A.引入在半导体器件中,冇一种广泛应用于各种电了电路的重要器件,那就是半导体三极管,通常也称为晶体管。B.新授课1.2半导体三极管1.2.1半导体三极管的基本结构与分类1.结构及符号PNP型及NPN型三极管的内部结构及符号如图所示。电极P集电区N基区P发射区堞电结发射结C?集电极N集电区z777z7777E6发射极N发射区、发射结?c(介绍,参考教材)(展示各种二极管)

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