Spice基本语法 -

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1、•无源器件：电阻、电感、电容1、电阻RXXXn1n2resistance电阻值可以是表达式。例：R11210KRac981AC=1e10RterminputgndR=’sqrt(HERTZ)’2、电容CXXXn1n2capacitance例：C1121pF3、电感LXXXn1n2inductance例：L1121nH•有源器件：Diode、BJT、JEFET、MOSFET1、Diode（二极管）DXXXN+N-MNAME可选项：AREA是面积因子，OFF是直流分析所加的初始条件，

2、IC=VD是瞬态初始条件注：模型中的寄生电阻串联在正极端2、BJT（双极性晶体管）QXXXNCNBNEMNAMENC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点，缺省时NS接地。后面与二极管相同。3、JFET（结型场效应晶体管）JXXXNDNGNSMNAME4、MOSFET（MOS场效应晶体管）MXXXNDNGNSNBMNAMEM为元件名称，ND、NG、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。MNAME是模型名，L沟道长

3、，W为沟道宽。•子电路1、子电路定义开始语句.SUBCKTSUBNAM其中，SUBNAM为子电路名，node1…为子电路外部节点号，不能为零。子电路中的节点号（除接地点），器件名，模型的说明均是局部量，可以和外部的相同。例：.SUBCKTOPAMP12342、子电路终止语句.ENDS若后有子电路名，表示该子电路定义结束；若没有，表示所有子电路定义结束。例：.ENDSOPAMP/.ENDS3、子电路调用语句X*****SUBNAM在Spice中，调用子电路的方法是设定以字母X开头的伪元件名，其后是用来连接到子电路上的

4、节点号，再后面是子电路名。例：„„.SUBCKTINVINOUTwn=1.2uwp=1.2uMnoutin00NMOSW=wnL=1.2uMpoutinvddvddPMOSW=wpL=1.2u.ENDSX1IN1INVWN=1.2UWP=3UX212INVWN=1.2UWP=3UX32OUTINVWN=1.2UWP=3U激励源：独力源和受控源独立源：直流源（DCSources）交流小信号源（ACSources）瞬态源（TransientSources）脉冲源指数源正弦源分段线性源1、直流源（DCSources）VXXXN+N-DCVALUEIXXXN+N-DCVALUE例：V110

5、DC=5VI110DC=5mA2、交流小信号源（ACSources）VXXXN+N-AC>IXXXN+N-AC>其中，ACMAG和ACPHASE分别表示交流小信号源的幅度和相位。例：V110DC=5VAC1V3、瞬态源（TransientSources）a、脉冲源（又称周期源，PULSESources）VXXXN+N-PULSE(V1V2TDTRTFPWPER)其中，V1初始值，V2脉动值，TD延时，TR上升时间，TF下降时间，PW脉冲宽度，PER脉冲周期。例：Vin10PULSE(0V5V10ns10ns10ns40ns

6、100ns)b、分段线性源（PWLSources）VXXXN+N-PWL(T1V1)>R=repeat_from_what_timeTD=time_delay_before_PWL_start其中,Vi是Ti时刻的值，repeat是开始重复的起始点，delay是延迟时间例：V110PWL60n0V,120n0V,130n5V,170n5V,180ns0V,R0V220PWL60n0V,120n0V,130n5V,170n5V,180ns0V,R60nc、VXXXN+N-SIN(V0VAFREQTDTHETAPHASE)

7、其中,VO偏置，VA幅度，TD延时，THETA阻尼因子，PHASE相位例：VIN30SIN(0V1V100MEG2NS5e7)d、指数源（EXPSources）VXXXN+N-EXP(V1V2TD1TAU1TD2TAU2)V1是初始值，V2是峰值，TD1是上升延迟时间，TAU1是上升时间常数，TD2是下降延迟时间，TAU2是下降时间常数。例：VIN30EXP(-4-15N30N40N80N)器件模型元器件需要模型语句来定义其参数值。模型语句不同于元器件定义描述语句，它