电子技术基础(一)试题c

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1、全国2011年7月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码：02234一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1.要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（）A.三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素2.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为()RA.-10VB.-4VC.+6VD.+10V3.NPN型三极管处在放大状态时，各电极的电位关系是()A.E极电位最高，C极电位最低B.E极电位最

2、高，B极电位最低C.C极电位最高，B极电位最低D.C极电位最高，E极电位最低4.由NPN型管构成的基本共射放大电路中，输入ui为正弦波，输出u0的波形为则输出u0产生了()A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.不能确定5.下列基本放大电路中，输入电阻最低的是()A.共射极放大电路B.共集电极放大电路C.共基极放大电路D.共漏极放大电路6.在具有发射极公共电阻RE的差动放大电路中，RE的主要作用是()A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.减小差模电压放大倍数D.减小共模电压放大倍数7.若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大

3、电路中应引入的负反馈组态为()A.电流串联B.电流并联C.电压串联D.电压并联8.文氏桥式RC正弦波振荡电路，其振荡频率f0的表达式为()A.B.C.D.9.在单相桥式整流电路中，如果输出电流平均值为2A，则流过每只整流二极管的电流平均值为()A.O.9AB.1A═══════════════════════════════════════════════════════════════════════════════C.1.41AD.2A10.两个晶体管的β值分别为30和60，用两管构成的复合晶体管，则该复合晶体管的等效值约为()A.60B.9

4、0C.1800D.不能确定11.下列数与十进制数(37)10相等的为()A.(00110101)8421BCDB.(54)8C.(101001)2D.(25)1612.逻辑函数F—AB+BC的最小项表达式为()A.F(A、B、C)=∑m(0、4、6、7)B.F(A、B、C)=∑m(O、3、4、5)C.F(A、B、C)=∑m(1、4、6、7)D.F(A、B、C)=∑m(O、1、6、7)13.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为()A.F=B.F=C.F=D.F=14.TTL型门电路构成的逻辑电路如题14图所示，则其输出函数的表达式为()A.F=B.

5、F=AC.F=D.F=15.由主从JK触发器构成的电路如题15图所示，可知该电路实现的功能为()A.保持B.置0C.置1D.计数二、填空题(本大题共9小题，每小题1分，共9分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。16.半导体二极管的最大反向电流IRM越大，说明管子的_________性能越差。17.PNP型晶体三极管，发射结正向偏置时，应是基极电位比发射极电位_________。18.晶体三极管与场效应管比较，属于电压控制器件的是_________。19.在三种基本组态的三极管放大电路中，有电流放大作用，而且u0与ui为同相关系的是

6、_________放大电路。20.由集成运放构成的反相比例运算电路中，存在交流_________负反馈。21.函数F=ABC+AC+的最简与或表达式为F=_________。22.TTL与非门的关门电平Uoff越大，开门电平Uon越小，它的抗干扰能力越_________。23.集成双向移位寄存器74LS194应用电路如题23图，设电路初始状态Q0Q1Q2Q3=0000，═══════════════════════════════════════════════════════════════════════════════则经过3个CP后，电路

7、的状态Q0Q1Q2Q3=_________。24.由555定时器构成的多谐振荡器具有_________个稳态。三、分析计算题(本大题共5小题，每小题8分，共40分)25.放大电路如题25图所示，知Ucc=15VRB=300KΩRE=RL=6KΩUBEQ=0.6V管子的=50rbe=1.4KΩ(1)指出该放大电路的名称；(2)计算静态值IEQ、UCEQ；(3)计算电压放大倍数Au=；(4)写出输入电阻ri的表达式。26.差动放大电路如题26图所示，知RC=20KΩ，RL=RE=10KΩ，RB=2KΩ，rbe=2KΩ，=5O(1)指出该电路的输入输出

8、方式；(2)计算差模电压放大倍数Ad；(3)计算差模输入电阻rid；(4)求输出电阻ro。27.集成运放构成的电路如题27图所示。(1)