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1、【MeiWei_81-优质适用文档】全面梳理microLED的历史和现状2018年能量产吗?2016-08-0406:38:00来源:LED网 2016年以来,microLED逐渐进入LED行业圈子,近日听到了microLED将于2018年量产的消息。为了更全面的了解microLED市场与技术的发展,对microLED的历史、现况、原理、制程及参与企业等方面做了全面梳理。 历史 说起MicroLED,先得从显示TFT-LCD背光模组应用说起。在1990年代TFT-LCD开始蓬勃发展时,因LED具有高色彩饱和度、省电、轻
2、薄等特点,部分厂商就利用LED做背光源。然因成本过高、散热不佳、光电效率低等因素,并未大量应用于TFT-LCD产品中。 直到20KK年,蓝光LED芯片刺激荧光粉制成白光LED技术的制程、效能、成本开始逐渐成熟;当进入20KK年,白光LED背光模组呈现爆发性的成长,几年间几乎全面取代了CCFL,其应用领域由手机、平板电脑、笔电、台式显示器乃至电视等等。 然而,因TFT-LCD非自发光的显示原理所致,其opencell穿透率约在7%以下,造成TFT-LCD的光电效率低落;且白光LED所能提供的色饱和度仍不如三原色LED,大部
3、分TFT-LCD产品约仅72%NTSC;再则,于室外环境下,TFT-LCD亮度无法提升至1000nits以上,致使影像和色彩辨识度低,为其一大应用缺陷。故另一种直接利用三原色LED做为自发光显示点画素的LEDDisplay或MicroLEDDisplay的技术也正在发展中。【MeiWei_81-优质适用文档】【MeiWei_81-优质适用文档】 现况 随着LED的成熟与演进,MicroLEDDisplay自20KK年代起开始有着不一样的面貌呈现。 从其发展历程来看,20KK年Sony发表的55寸“CrystalLEDD
4、isplay”就是MicroLEDDisplay技术类型,其FullHD解析度共使用约622万(1920x1080x3)颗microLED做为高解析的显示画素,对比度可达百万比一,色饱和度可达140%NTSC,无反应时间和使用寿命问题。但是因采单颗MicroLED嵌入方式,在商业化上,仍有不少的成本与技术瓶颈存在,以致于迄今未能量产。 虽然MicroLED理论上是皆可应用各类尺寸产品,但从自身良率及制程来看,目前对解析度高低的需求与良率是成反比,所以对解析度要求不高的穿戴式产品的显示器因尺寸面积小、制作良率较高、符合节电需
5、求,而被优先导入microLED。 一般LED芯片包含基板和磊晶层其厚度约在100~500μm,且尺寸介于100~1000μm。而更进一步正在进行的MicroLEDDisplay研究在于将LED表面厚约4~5μm磊晶层用物理或化学机制剥离,再移植至电路基板上。其MicroLEDDisplay综合TFT-LCD和LED两大技术特点,在材料、制程、设备的发展较为成熟,产品规格远高于目前的TFT-LCD或OLED,应用领域更为广泛包含软性、透明显示器,为一可行性高的次世代平面显示器技术。 自20KK年后各厂商积极于MicroL
6、EDDisplay的技术整合与开发,然因MicroLEDDisplay尚未有标准的μLED结构、量产制程与驱动电路设计,各厂商其专利布局更是兵家必争之地。迄2016年止,已被Apple并购的Luxvue、MikroMesa、SONY、leti等公司皆已具数量规模的专利申请案,更有为数众多的公司与研究机构投入相关的技术开发。 主要参与开发的企业【MeiWei_81-优质适用文档】【MeiWei_81-优质适用文档】 原理 MicroLEDDisplay的显示原理,是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,其尺寸仅在1
7、~10μm等级左右;后将MicroLED批量式转移至电路基板上,其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上;再利用物理沉积制程完成保护层与上电极,即可进行上基板的封装,完成一结构简单的MicroLED显示。 而要制成显示器,其晶片表面必须制作成如同LED显示器般之阵列结构,且每一个点画素必须可定址控制、单独驱动点亮。若透过互补式金属氧化物半导体电路驱动则为主动定址驱动架构,MicroLED阵列晶片与CMOS间可透过封装技术。黏贴完成后MicroLED能藉由整合微透镜阵列,提高亮度及对比度。MicroLED【MeiWei_81
8、-优质适用文档】【MeiWei_81-优质适用文档】阵列经由垂直交错的正、负栅状电极连结每一颗MicroLED的正、负极,透过电极线的依序通电,透过扫描方式点亮MicroLED以显示影像。MicroLED结构图 MicroLED典型结构是一PN接面二极管,由直接能隙半导体材料构成。当对M
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