专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案

ID:47043281

大小:286.57 KB

页数:7页

时间:2019-07-06

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案_第1页
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案_第2页
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案_第3页
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案_第4页
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案_第5页
资源描述:

《专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、(共75题,共150分)1.GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每()个月翻一番(2分)A.12B.18C.20D.24.标准答案:B2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的()效应产生的。(2分)A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案:C3.在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在()区。(2分)A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案:D4.MOS管一旦出现()现象,此时的MOS管将进入饱和区。(2分)A.夹断B.反型C.导电D.耗

2、尽.标准答案:A5.()表征了MOS器件的灵敏度。(2分)A.B.C.D..标准答案:C6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的()。(2分)A.B.C.D..标准答案:B7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是()。(2分)A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案:C8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益()。(2分)A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案:C9.镜像电流

3、源一般要求相同的()。(2分)A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案:D10.某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等,应取为()。(2分)A.B.C.D..标准答案:A11.选择题:下列结构中密勒效应最大的是()。(2分)A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案:A12.下图中,其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为()。(2分)A.7第7页共7页B.C.D..标准答案:A13.对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是()。

4、(2分)A.DCB.ACC.OPD.IC.标准答案:C14.模拟集成电路设计中的第一步是()。(2分)A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案:C15.()可提高图中放大器的增益。(2分)A.减小,减小B.增大,增大C.增大,减小D.减小,增大.标准答案:A16.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是()。(2分)A.增益B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻.标准答案:C17.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是()。(2分)A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置.标准答案:A18.在NMOS中,若会使阈值电压()

5、(2分)A.增大B.不变C.减小D.可大可小.标准答案:A19.NMOS管中,如果VB变得更负,则耗尽层()。(2分)A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案:C20.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会()(2分)A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低.标准答案:D21.MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是()。(2分)A.电导B.电阻C.跨导D.跨阻.标准答案:C22.工作在饱和区的MOS管,可以被看作是一个()。(2分)A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源.标准答案:B23

6、.密勒效应最明显的放大器是()。(2分)A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案:A24.不能直接工作的共源极放大器是()共源极放大器。(2分)A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载.标准答案:C25.模拟集成电路设计中的最后一步是()。(2分)A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案:B26.在当今的集成电路制造工艺中,()工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。(2分)A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案:B7第7页共7页27.MOS

7、器件小信号模型中的是由MOS管的()效应引起。(2分)A.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案:B28.PMOS管的导电沟道中依靠()导电。(2分)A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案:B29.当MOS管的宽长比是定值时,其跨导与漏源电流的关系曲线是()。ABCD(2分)A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案:D30.如果MOS管的栅源过驱动电压给定,L越(),输出电流越理想。(2分)A.大B.小C.近似于WD.精确.标准答案:A31.MOS电容中对电容值贡献最大的是()。(2分)A.B.C.D..标准答案:A32.下面几种电

8、路中增益线性度最好的是()。(2分)A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器C.二极

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。