南京航空航天大学_823电工电子2014考研复习题(整理)(DOC)

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1、.....第十四章半导体器件3007在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（A）。(a)很高(b)很低(c)等于N型或P型半导体的电阻率11023型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（C）。(a)1V(b)0.2V(c)0.6V15039电路如图1所示，已知U=6V，u=18sintV，波形如图2，二极管正向导通时的压降可忽略不计，则二极管两端电压uD的波形为图3中（）。22061温度稳定性最好的稳压管是（A）。(a)稳定电压UZ=6V的管子(b)稳定电压UZ>6V的管子(c)稳定电压U<6V的管子2

2、3064稳压管的动态电阻rZ是指（B）。(a)稳定电压与相应电流IZ之比(b)稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值(c)稳压管正向压降与相应正向电流的比值24065动态电阻rZ是表示稳压管的一个重要参数，它的大小对稳压性能的影响是（B）。(a)rZ小则稳压性能差(b)rZ小则稳压性能好(c)rZ的大小不影响稳压性能34084晶体管的主要特点是具有（B）。(a)单向导电性(b)电流放大作用(c)稳压作用35086如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（B）。(a)反向(b)近似等于零(c)不变(d)增

3、大36088晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（B）。(a)发射结反偏集电结正偏(b)发射结、集电结均反偏(c)发射结、集电结均正偏(d)发射结正偏，集电结反偏38091晶体管的穿透电流ICEO是表明（A）。(a)该管温度稳定性好坏的参数学习参考.....(b)该管允许通过最大电流的极限参数(c)该管放大能力的参数39093表明晶体管质量优劣的主要参数是（）。40095某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PCM=500mW，集电极最大允许电流ICM=500mA，在实际应用线路中测得它的集电极电流IC=100mA，UCE=6V，其后

4、果为（A）。(a)该管应过热而损坏(b)该管可长期安全工作(c)该管可安全工作、但将下降41100已知某晶体管的ICEO为200，当基极电流为20时，集电极电流为1mA，则该管的ICBO约等于（C）。(a)8mA(b)10mA(c)5(d)2043104在计算低频小功率晶体管输入电阻rbe时，有三位同学用了三种方法，而且计算结果差别很大，请指出正确的表达式是（C）。50123某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（B）。(a)P沟道耗尽型MOS管(b)N沟道增强型MOS管(c)P沟道增强型MOS管(d)N沟道耗尽型MOS管51124

5、图示为场效应管的转移特性和漏极特性曲线，由此可判断该场效应管为（C）。(a)绝缘栅N沟道耗尽型(b)绝缘栅P沟道耗尽型(c)绝缘栅N沟道增强型52130某场效应管的转移特性如图所示，则此场效应管为（A）。(a)绝缘栅N沟道耗尽型(b)绝缘栅P沟道耗尽型(c)绝缘栅N沟道增强型54135某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（C）。(a)N沟道增强型(b)N沟道耗尽型(c)P沟道耗尽型学习参考.....561072电路如图所示，试分析当时，哪些二极管导通？当VI=0V时，哪些二极管导通（写出分析过程并设二极管正向压降为0.7V）

6、。第十五章基本放大电路20146下列各电路中能实现交流电压放大的是图（B）。80167固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如下图所示，当温度升高时工作点Q将(B)。(a)不改变(b)向Q'移动(c)向Q''移动学习参考.....90168单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的(A)。110180如图所示的放大电路(B)。(a)能稳定静态工作点(b)不能稳定静态工作点(a)不仅能稳定静态工作点且效果比接有射极电阻时更好。12081120181如图所示的放大电路（C）。(a)不能稳定静态工作点。(b)能稳定静态工作点，但比无二极

7、管D的电路效果要差。(c)能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好130183分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将(B)。(a)增大(b)减小(c)不变140185两级共射阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将(A)。(a)提高(b)降低(c)不变15.D16.A170191射极输出器的输入输出公共端是(A)。(a)集电极(b)发射极(c)基极180196电路如图所示，电阻RE引入的反馈为(A)。(a)串联电压负反馈(b)串联电流负反馈(c)并联电压负反馈(d)串联

8、电压正反馈220205串联电压负反馈放大电路中，若将反馈深度增加，则该电路的输出电阻将(A)。(a)减小(b)增加(c)不变学习参考.....250218两级阻容耦