常用内存命名规则

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1、常见内存芯片命名  2010-06-0821:13:23

2、  分类：个人日记

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4、字号大中小 订阅三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60   SDRAMK4H280838B-TCB0  DDRK4T51163QE-HCE6  DDR2K4B1G164E-HCE7   DDR3主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表DRAM。9代表NANDFLASH第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGR

5、AM。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns

6、(66MHz)。知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的

7、颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代现代内存的含义：HY57V281620FTP-H  H57V2562GTR-75C(新版）SDRAM   HY5DV641622AT-36  H5DU5162ETP-E3C      DDRHYXXXXXXX

8、XXXXXXXXX123456789101112HY5PS121621BFP-C4  H5PS5162FFR-25C       DDR2HY5TQ1G163ZNFP-G8  H5TQ1G163BFR-12C    DDR3　　1、HY代表是现代的产品　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM，5P=DDR2SDRAM, 5T=DDR3SDRAM)；27=NANDFLASH　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　Q=1.8V 　　4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64=64Mbits、

9、8KRef；65=64Mbits、4KRef；128=128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系　　7、I/O界面：1:SSTL_3、　2:SSTL_2　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片　　10、

10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ　　11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、　K:DDR266A现代的mBGA封装的颗粒  Micron（美光） 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 47=D

11、DR2LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是