模拟集成电路论文

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1、模拟集成电路论文集成电路制造综述院、部：电气与信息工程学院学生姓名：指导教师：职称讲师专业：电了信息T程班级：学号：完成时间：集成电路是一种微型电了器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连-起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电了元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。木文将介绍集成电路的制造工艺。关键词集成屯路；芯片；制造工艺ABSTRACTICi

2、satinyelectronicdevicesorcomponents.Usingacertainprocess,acircuitnecessarytotransistors,diodes,resistors,capacitorsandinductorsandothercomponentsandinterconnectionwiringtogether,makingafewsmallpiecesinasmallormediumsemiconductorwaferorsubstrate,andthenpackagedi

3、natubeshell,asafunctionofthemicro-structureofthedesiredcircuit;inwhichallthecomponentsinthestructurehasformedawhole,sothattowardtheminiaturizationofelectroniccomponents,lowpowerconsumptionandhighreliabilityamajorstepforward.ThisarticleintroducestheICmanufacturi

4、ngprocess.KeywordsIC；chip；manufacturingprocess集成电路在过去儿十年里发展迅速，成为发展最快的高新产业技术Z-O而集成电路设计又是集成电路研制屮非常重要的一个环节，随着集成度的不断提高，设计成木和设计周期已成为集成电路，尤其是VLSI产品研制成木和产品周期的主要部分。集成电路设计是根据电路功能和性能的要求，在止确选择功能配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成木，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。集成电路设计的

5、最终输出结果是掩模版图，通过制版和工艺流片最终得到所需的集成电路。集成电路基本制造工艺集成电路基本制造工艺包括基片外延生长、掩模制造、曝光技术、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、多晶硅淀积、金属层形成。集成电路芯片加工工艺，虽然在进行IC设计时不需要直接参与集成电路的工艺流程，了解工艺的每一个细节，但了解IC制造工艺的基本原理和过程，对TC设计是大有帮助的。下面我们分别对这些关键工艺做一些简单的介绍。一、外延工艺外延工艺是60年代初发展起來的一种非常重要的技术，尽管冇些器件和TC可以直接做在未外延的基片上，但是未经过外延生

6、长的基片通常不具冇制作期间和屯路所需的性能。外延生长的0的是用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具冇不同性能的晶体层。常用的外延技术主要包括气相、液相金属冇机物气相和分子束外延等。其中，气相外延层是利用硅的气态化合物或液态化合物的蒸汽在衬底农面进行化学反应生成单品硅，即CUD单品硅；液相外延则是Ftl液相直接在衬底表面生长外延层的方法；金属冇机物气相外延则是针对III/V族材料，将所需要生长的III/V族元索的源材料以气体混合物的形式进入反应器中加热的生长区，在那里进行热分解与沉淀反映，而分子束外延则是在超高真空条

7、件下，由一种或几种原子或分子束蒸发到衬底表面形成外延层的方法。二、掩模板的制造掩模板口J分成整版及单片版两种，整版按统一的放人率印制，因此称为IX掩模，在一次曝光中，对应着一个芯片陈列的所有电路的图形都被映射到基片的光刻胶上。单片版通常八九、实际电路放犬5或10倍，故称作5X或10X掩模,其图案仅对•应着基片上芯片陈列中的单元。早期掩模制作的方法：①首先进行初缩，把版图分层画在纸上，用照相机拍照，而后缩小为原來的10%~%20的精细底片；②将初缩版装入步进重复照相机,进一步缩小，一步一幅印到钻片上，形成一个阵列。制作

8、掩模常用的方法还包括：图案发生器方法、x射线制版、屯子束扫描法。其屮X射线、电子束扫描都可以用来制作分辨率较高的掩模版。三、光刻技术光刻是集成电路工艺小的一种重要加工技术，在光刻过程屮用到的主要材料为光刻胶。光刻胶又称为光致抗蚀剂，冇正胶、负胶之分…其屮，正胶曝光前不溶而曝光后可溶，负胶曝光前可溶而曝光后不可溶。光刻的步骤：①晶圆涂光刻胶；②曝