中国砷化镓市场发展研究报告

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1、2008年中国不申化镣市场发展研究报告2008-10-1515:02:06页数订23中文纸介版:7300元购买报告:［卜•载］报告摘要字数:60121中文电子版:7600元纸介版+电子版报价:7900元图表数:84发布日期:2008-10-1515:02:06一、总量规模在半导体材料中，何化缘材料的技术研究较为深入，应用范囤在不断扩大，极大地推动了光电子技术和现代信息技术的高速发展。在微电子领域，神化傢材料在制作高速、高频、大功率微电子器件和电路都有广泛的应用，随着我国微电子行业的快速发展，神化镣材料的市场空间正不断扩大。在光电子领域，全

2、球LED市场正飞速发展，世界半导体照明的应用也日趋成熟，还育硼化铢太阳能电池的兴起，都使斫化傢材料的需求快速上涨。2007年国内已经具备180万片的碑化傢单晶片、外延片等产品的产能规模，英中，中科傢英有限公司以及其合资公司中科晶电信息材料(北京)有限公司的产能己经达到80万片产能规模，并冇继续扩大的趋势，而我国国内目前的需求量仅冇十儿万片,目前的产能规模足以保证未来国内市场发展的需要，此外，产能高速扩张的同时，决定了对外出口成为呻化镣材料扩大市场规模的一种重要渠道。随着GaAsIC集成度的提高和降低成本的需耍，GaAs材料总的发展趋势是晶

3、体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砂化稼材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直如里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半绝缘仲化稼材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在国际上已发展成为成熟的碑化傢晶体生长工艺，采用该技术生产的0)76.2mm>0)100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体何化稼材料的主流产品依然是0)76.2mm。国内低阻伸化镣材料的主流产品为050.8mm和076.2mm.低阻神化傢材料

4、主要用来制造发光管(LED)、半导体激光器(LD)、窩效太阳能电池、霍尔纽•件等。我国2007年度仅LED的需求量为220亿支，对神化铢衬底材料的年需求量约70万片，加上其他神化铢材料需求，国内对确化镣材料的需求量达到110万片。国内碑化铢材料需求量■需求量（万片）数据来源：中国市场调査研究中心二、增长速度呻化铢（GaAs）是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料Z—,广泛应用于光电子和微电子领域。2〜3英寸斫化铢晶片是市场的主流产品。2001年北京有色金属研究总院成功拉制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘呻化傢单晶，使我国成为继日本、徳国

5、之后笫三个掌握此项技术的国家，这标志看我国砂化繚晶体牛长技术己进入世界领先行列。作为第二代半导体材料，碑化稼将來最重•要的应用将在移动通信、光纤通信和卫星通信领域，目前6英寸碑化镣材料在我国也已经批量生产，2007年中科晶电信息材料（北京）冇限公司的4〜6英寸伸化镣晶片冇5000片的产能，根据其产能设计，2008年4〜6英寸神化稼晶片月产将达到5万片，产能将位居世界前茅，我国4〜6英寸神化傢晶片产能扩张速度开始加快。此外，随着国内汽车电了显示器件及高亮度LED尾灯的需要量增长，对这类材料的需求量还会大幅度增长。目前，在福建、广东、山东、江

6、西及右家庄等地区已建成和正在兴建的①50.8mm器件生产线就有十儿条，基本上全部从国外进II该衬底材料。因此预计，在未來3年〜5年内，国内的年需求量将达到200万片左右。全球化合物半导体器件2002〜2007年之间的年复合增长率达到22%,高于这期间半导体业10%的年复合增长率。近5年，国内砂化稼材料的市场需求量复合增长速度超过30%o国内碑化镣材料需求增长速度■需求量（万片）T-增长速度数据來源：中国市场调査研究中心三、区域市场结构从生产区域的角度看，国外仲化镣材料生产企业冇：飞思卡尔、威讯联合半导体（RFMD）、住友电气（Sumito

7、mo）等。国内伸化铢材料主要研究、生产单位是中电科技46所、中科镣英、有色金属研究总院等。中国的础化傢材料产业化发展很快。从20世纪60年代初期开始研制碑化锋材料，到2000年攻关计划验收时，已经实现2英寸和3英寸半绝缘砂化傢单晶的小批量牛产，并完成了4英寸单晶的研发。近年來，屮电科技集团四十六所在收购美国UttonAirtron公司生产线的同时，£1主开发VB-GaAs单晶生产技术，同时进行半绝缘神化镣材料和低阻光电器件用伸化镣材料的产业化工作；以北京冇色金属研究总院的HB-GaAs技术为基础成立的国瑞电了公司已实现光电器件用神化傢材料

8、多年生产；中科傢英公司不断开展半绝缘神化隊材料及其外延材料的产业化丁作。从我国神化镣材料的生产惜况看，国内四家主婆生产企业集屮在北京地区，技术主要依托屮科院以及科研院所，从生产的悄况看，北京地