高压电缆局部放电检测技术探讨

高压电缆局部放电检测技术探讨

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1、第l8卷(2016年第8期)电力安全技术高压电缆局部放电检测技术探讨夏雯,肖传强(1.国网浙江省电力公司宁波供电公司,浙江宁波310007;2.北京兴迪仪器有限责任公司,北京100029)[摘要]介绍了国家电网公司高压电缆竣工试验技术标准,探讨了高压电缆竣工试验过程中试验电源和供电电源的的技术要求。提出了竣工试验时应采用分布式局部放电的检测方法实施带局部放电检测的交流耐压试验技术标准,有利于发现电缆及附件中存在的微小局部放电缺陷,提高投运电缆的优良率。[关键词]高压电缆;交流耐压;局部放电;竣工试验0引言器内部放电,在15kV

2、下有超过5nC的放电。由于电抗器的放电是在与电缆相同频率的电压下产高压电缆的交流耐压试验具有一定局限陛,有生,且信号极强,掩盖了电缆及附件的放电谱图,些重大施工缺陷无法被发现。而对高压电缆进行局无法实现电缆线路的局放检测。部放电检测是对交流耐压试验的有益补充,可以发现电缆附件中微小的局部放电缺陷。2015年2月,国家电网公司颁布了电力电缆线路试验规程技术标准。技术标准要求在66kV及以上电压等级的电缆线路竣工验收时,开展交流耐压试验的同时应开展局部放电(以下简称局放)检测。这一技术标准为国网下属各电力公司高压电缆线路竣工验收时

3、提供了技术依据,可有力保障高压电缆线路投运后的安全稳定运行。图1高压变频谐振试验系统原理1试验电源系统的技术要求因此,带局放检测的交流耐压试验的高压谐振试验系统,必须遵守电源系统自身在额定电压下无高压电缆竣工试验时采用高压变频谐振电源给局放的设计要求,防止电源系统自身的局放信号掩电缆线路加压。目前高压变频谐振试验系统分为2盖电缆及附件的局放信号。类:无局放谐振试验系统和未考虑局放检测要求的试验系统。高压变频谐振试验系统原理如图l所示。2试验电源供电容量和供电方式选择无局放谐振试验系统的电抗器及高压连接部分在设计上遵守额定电压下

4、无局放的要求,除了变频试验电源可分为变压器供电和柴油发电车供电器本身在脉冲调制过零点存在尖脉冲外,其他部件2种方式。大多数情况下,试验现场无法提供开展在额定电压下不产生局放背景。交流耐压试验时所需要的变压器供电电源,因此有未考虑局放检测要求的谐振试验系统,在试验必要配备合适的柴油发电车。频率和很低的输出电压下就可以检测到电源系统自供电电源的容量与试验容量和谐振系统的品质身的局部放电。这些放电信号主要来自于高压电抗因素(Q值)相关。一一电力安全技术第18卷(2016年第8期)、谐振系统的品质因素越高,对同样长度的电缆进行交流耐压

5、试验时可不用考虑交叉互联系统的影试验时,所需的供电容量就越低。变压器供电方式响。但开展带局放检测的交流耐压试验,尤其是开提供试验电源时一般采用箱式变压器。展分布式局放检测,必须考虑交叉互联接地系统对在现场电源不能满足试验要求时,一般采用柴局放信号传播路径的影响。油发电车供电。选用柴油发电车容量时需要考虑到对于交叉互联箱,应拆除原有互联排,将同一其内部损耗,要求比变压器供电容量高出2倍左右。相同轴电缆的金属屏蔽连接端用绝缘软线短接。短接线用螺母拧紧固定,并保证接触良好。对于直接3高压电缆局放信号特征分析接地箱,其空间一般较狭小,

6、无法安装传感器,所以试验前也应拆除原有连接铜排,并用绝缘软线短3.1放电量小接代替。随着高压电缆生产工艺的提高,线路中存在重大缺陷的可能性不断降低。根据近5年来国内局放5220kV电缆线路试验实例检测经验,高压电缆线路中的局放缺陷一般属于微小放电级别。在220kV电缆线路竣工试验中检测5.1试验电缆概况到的放电缺陷,放电量只相当于几十个pC级别。2014年l2月,某供电公司在220kV电缆线3.2高频信号传播衰减率高路上开展了带局放检测的交流耐压试验。220kV高压电缆的内外半导电层对高频信号存在很强电缆线路采用双回路,线路长

7、度800m。电缆全程的衰减,电缆中高频信号的衰减率大于90%/kin。采用单芯l600mm铜芯交联聚乙烯绝缘电缆,电因此,电缆线路的局放检测必须采用多点检测方法。缆额定电压为220kV,电容量为0.214F/kin。传统的检测方法采用从电缆端头检测线路局放,这电缆全线采用隧道敷设,每回电缆线路有1组绝缘种方法不再适用于电缆线路局放检测。通过电缆接中间接头。GIS终端采用电压保护器接地,户外终地线开展就地局放巡检和分布式局放检测正在成为端采用直接接地;中间接头金属屏蔽一侧直接接地电缆线路局放检测的主要方式。(GIS侧),一侧保护

8、接地(户外终端侧)。3.3缺陷种类复杂5.2试验设备的布置方案电缆局放缺陷以多种形式存在于电缆及附件在开展带局放检测的交流耐压试验时,在电缆中。按照缺陷位置可以分为绝缘内部缺陷、内半导线路的全范围内的户外终端、中间接头、G!S终端电层缺陷、外半导电层缺陷、外半导电层与金属护上

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