第1章+晶体二极管

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1、电子线路（线性部分）南昌大学信息工程学院电子信息工程系授课教师：陈素华2008年2月Email:chen.suhua@163.comCellphone:13732905236Office：信工楼A308主编：谢嘉奎1是重要的技术（专业）基础课是电子信息类专业的主干课程是强调硬件应用能力的工程类课程是工程师训练的基本入门课程是很多重点大学的考研课程课程地位与课程体系2主要学习和掌握电子技术的硬件知识和应用实践能力学好用好电子线路是电子工程师所应具备的‘基本功“和“看家本领”学好电子线路的定义3电子线路学习方法进得去，出得来既见树木，又见

2、森林4强调自学能力，注意学习方法。入门时可能会遇到一些困难。注意不断改进、总结和调整、提高。怎样学好这门课5“爱好”和“志向”很重要！“兴趣是最好的老师”学习主观能动性是学好这门课的“关键”。“让我学”和“我要学”教学相长–“教师是启发和引导者”“好学生不是教出来的”几点建议：6“知识是干粮，能力是猎枪，素质是指南针”一段话：7文科的课堂是书籍和社会理工科的课堂是实验室和公司企业文科和理工科8电子线路考核方式总成绩=卷面成绩×85(80)%+平时成绩×15(20)%注：卷面成绩≥95分作业本一个未用完，不能换；抄写题目带图。实验课的安

3、排9电子线路基本内容（64）第1章晶体二极管（8）第2章晶体三极管（10）第3章场效应管（7）第4章放大器基础（19）第5章放大器中的负反馈（12）第6章集成运算放大器及其应用电路（8）基本元器件放大器101.1半导体物理基础知识1.2PN结1.3晶体二极管电路分析方法1.4晶体二极管的应用晶体二极管*1.5　其他二极管112.1放大模式下晶体三极管的工作原理2.2晶体三极管的其他工作模式2.3埃伯尔斯—莫尔模型2.4晶体三极管伏安特性曲线2.5晶体三极管小信号电路模型2.6晶体三极管电路分析方法2.7晶体三极管的应用原理晶体三极管*

4、2.8　集成工艺123.1MOS场效应管3.2结型场效应管3.3场效管应用原理场效应管134.1偏置电路和耦合方式4.2放大器的性能指标4.3基本组态放大器4.4差分放大器4.5电流源电路及其应用4.6集成运算放大器4.7放大器的频率响应放大器基础*4.8　放大器的噪声145.2负反馈对放大器性能的影响5.4深度负反馈*5.3负反馈放大器的性能分析5.1反馈放大器的基本概念5.5负反馈放大器的稳定性放大器中的负反馈156.2集成运放性能参数及对应用电路的影响6.4集成电压比较器*6.3高精度和高速宽带集成运放6.1集成运放应用电路的组

5、成原理集成运算放大器及其应用电路16第1章　晶体二极管1.0概　述1.1半导体物理基础知识1.2PN结1.3晶体二极管电路分析方法1.4晶体二极管的应用17概述晶体二极管结构及电路符号：PN结正偏(P接+、N接-)，D导通。PN正极负极晶体二极管的主要特性：单向导电性PN结反偏(N接+、P接-)，D截止。即主要用途：用于整流、开关、检波电路中。第1章　晶体二极管单向导电性：允许一个方向电流顺利流通的特性。+-D18半导体二极管图片第1章　晶体二极管19半导体二极管图片第1章　晶体二极管20半导体二极管图片第1章　晶体二极管21半导体二

6、极管图片第1章　晶体二极管221.1半导体物理基础知识半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。硅(Si)、锗(Ge)原子结构及简化模型：+14284+3228418+4价电子惯性核第1章　晶体二极管主要材料：硅(Si)，应用最广泛。锗(Ge)砷化镓（GaAs），主要制作高频高速器。23硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。+4+4+4+4+4+4+4+4硅和锗共价键结构示意图：共价键1.1.1本征半导体第1章　晶体二极管一、本征半导体24二、本征激发当T升高或光线照射时产生自由电子空穴对。共价键具有很强的结合

7、力。当T=0K(无外界影响)时，共价键中无自由移动的电子。这种现象称本征激发。第1章　晶体二极管+4+4+4+4+4+4+4+425当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。注意：空穴运动方向与价电子填补方向相反。自由电子—带负电半导体中有两种导电的载流子空穴的运动空穴—带正电第1章　晶体二极管空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。26温度一定时：激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。三、热平衡载流子浓度热平衡

8、载流子浓度：本征半导体中本征激发——产生自由电子空穴对。电子和空穴相遇释放能量——复合。T导电能力ni或光照热敏特性光敏特性第1章　晶体二极管T=300K时，（硅）（锗）式中：A:常数硅为3.88×1016cm-3K-3