电子科技大学微固学院半导体光电器件实验指导书

电子科技大学微固学院半导体光电器件实验指导书

ID:46250640

大小:606.66 KB

页数:30页

时间:2019-11-22

电子科技大学微固学院半导体光电器件实验指导书_第1页
电子科技大学微固学院半导体光电器件实验指导书_第2页
电子科技大学微固学院半导体光电器件实验指导书_第3页
电子科技大学微固学院半导体光电器件实验指导书_第4页
电子科技大学微固学院半导体光电器件实验指导书_第5页
资源描述:

《电子科技大学微固学院半导体光电器件实验指导书》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、电子科技大学微电子与固体电子学院实验指导书(实验)课程名称:半导体光电器件电子科技大学教务处制表—、课程性质和任务1.课程性质本门课程是本科人四学生在修完《半导体物理》课程基础上的专业选修课。课程内容涵盖了半导体光电器件物理基础及几种常见半导体光电器件的工作原理、基木结构、工作特性及应用。因此,本门课程是在《半导体物理》理论基础上的器件的实际应用,具有很强的实用性。2.课程任务(1)学生通过本门课程的学习,进一步领会半导体PN结的原理并了解PN结的实际应用。(2)本课程在学生熟练掌握半导体光屯器件相关物理知识的基础上,掌握半导体发光二极管、半导体激光器

2、、光电探测器及太阳能电池这些半导体光电器件的工作原理、基本结构及工作特性,了解它们的应用领域并对它们进行正确选用。(3)课程通过实验项冃的开设,使学生拥有能够熟练操作仪器进行独立实验的能力,并从实践中加深对课程中知识点的认知和理解。引发学生结合所学知识点对实验中的问题进行思考,捉高学生解决问题的能力。(4)让学生了解课程中所涉及的半导体光电器件的发展水平,为学生研究、设计及应用半导体光电器件奠定基础。二、实验课程的内容木课程实验主要包括以下内容:LED/LD光源特性测试;半导体激光器光源发散角测试;光敏电阻特性特性测试;硅光电池特性测试。LED/LD光

3、源特性测试实验一、基础知识1.LD工作原理从激光物理学中我们知道,半导体激光器的粒子数反转分布是指载流子的反转分布。正常条件下,电子总是从低能态的价带填充起,填满价带后才能填充到高能态的导带;而空穴则相反。如杲我们用电注入等方法,使PN结附近区威形成大量的非平衡载流子,即在小于复合寿命的吋间内,电子在导带,空穴在价带分别达到平衡,如图1所示,那么在此注入区内,这些简并化分布的导带电子和价带空穴就处于相对反转分布,称Z为载流子反传分布。注入区称为载流子分布反传区或作用区。结型半导体激光器通常用与PN结平面相垂直的一对相互平行的□然解理面构成平面腔。在结型

4、半导体激光器的作用区内,开始时导带中的电了口发地跃迁到价带和空穴复合,产生相位、方向并不相同的光子。大部分光子一旦产生便穿出PN结区,但也有一部分光子在PN结区平面内穿行,并行进相当长的距离,I大I而它们能激发产生出许多同样的光子。这些光子在平行的镜面间不断地来回反射,每反射一次便得到进一步的放大。这样重复和发展,就使得受激辐射趋于山压倒的优势,即在垂直于反射而的方向上形成激光输出。图1半导体激光器的能带图2.LED工作原理发光二极管是大多族化合物,如GaAs(帥化镣)、GaP(磷化铢)、GaAsP(磷神化镣)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具冇

5、一般P・N结的I・N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图2所示。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数pn以内产生。图2LED发光原理假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介丁导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可

6、见光。我们把发光的复合量与总复合量的比值称为内量了效率偽气(1)式中,叫为产生的光子数,G为注入的电子■空穴对数。但是,产生的光子乂有一部分会被LED材料木射吸收,而不能全部射出器件Z外。作为一种发光器件,我们更感兴趣的是它能发岀多少光子,表征这一性能的参数就是外量子效率(2)式中,Nt为器件射出的光子数。发光二极管所发的光并非单一波长,如图3所示。由图可见,该发光管所发之光中某一波长弘的光强最大,该波长为峰值波长。理论和实践证明,光的峰值波长九与发光区域的半导休材料禁带宽度耳有关,即衣1240/Eg(nm)0式中Eg的单位为电子伏特(eV)o若能产生

7、可见光(波长在380nm紫光〜780nm红光),半导体材料的瓦应在3.26〜1.63eV之间。52»340260S8O60()6®}波长X(mcn)图3LED光谱图1.LED/LD的VI特性LD和LED都是半导体光电器件,其核心部分都是PN结。

8、大I此其具有与普通二极管相类似的V・I特性曲线,如图4所示。在正向电压小于某一值时,电流极小,不发光;当电压超过某一值后,止向电流随电压迅速增加,发光。我们将这一电压称为阈值电压。2.LED/LD的P-I特性在结构上,由于LED与LD相比没有光学谐振腔。因此,LD和LED的输出光功率与电流的P・I关系特性曲线有

9、很大的差别,如图5所示。LED的P・I曲线基本上是一条近似的线性-直线,只有当屯流过大吋,由于

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。