无源逆变与变频器实验指导

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1、(CorhWtw](8r如】(Thamwor)无源逆变与变频器实验指导实验一IGBT的简单测试一、实验目的1.了解1GBT功率模块类型及主要测试参数。2.掌握IGBT的简易测量方法。二、实验设备IGBT模块1个万用表1只三、实验线路及原理1.1GBT功率模块的儿种电路结构(1)PIM结构这是一种小功率变频器主要采用的结构，结构特点是三相整流桥，制动单元，温度检测，三相IGBT逆变桥全部集成在一个模块上，以富士半导体公司的7mbr25sal20为例，图4-1为模块内部电路结构，7个驱动单元采用光耦隔离驱动。H(Gz)l15(Cw)24

2、

3、例，图4-3为模块内部电路结构，2个驷动单元采用光耦隔离驱动。图4-36mbi75ua-120模块内部电路结构(1)IPM结构这种模块主耍用于屮小功率变频器，结构特点是驱动单元内迸，模块内部电路可以是以上的任何一种电路结构。以富士半导体公司的6mbpl00ra-060为例，图4-4为模块内部电路结构，6个驱动单元内置，但需提供独立的驱动电源。图4-46mbpl00ra-060模块内部电路结构2.1GBT功率模块的主要测试参数Vces：g、s短路，IGBT的反向击穿电压；Cies：1GBT的g、s间电容；Frd：TGBT的反并联二极管;IGBT

4、的控制导通与截止特性。3.IGBT的主耍参数测量方法(1)采用图示仪等仪器测屋Vces,Cies,Frd可以很方便的测*,1GBT的控制导通与截上特性可以通过图示仪给出电压阶跃信号控制TGBT的控制极而方便测量。(2)采用500型指针万用表等简易测量Cies,Ftd可以很方便的测量，Vces无法测量。IGBT的控制导通与截止特性可以采用如下办法：先将g,,s间短路，而后释放，以确保g,,s间无电荷，将500型指针万用表的量程打在“lk”电阻档，“红”表笔接IGBT的“e”极，“黑”表笔接IGBT的“c”极，此时表指针应无摆动，指示电阻值无穷人

5、，再用手或其他导体将“c”极与“g”极短接后释放，指针表应有电阻值指示，且指示值应停住不动，以上过程能证明1GBT的开通能力基本正常；此时再将g,,s间短路，表指针应冋位，指示电阻值无穷人，而示再释放g,,s间短路块，表指针应不动，仍然指示电阻值无穷人。以上过程能证明1GBT的关断能力基木正常。4.IPM的主要参数测量方法由于IPM内部含驱动单元,外部无法得到“g,”端子，因此,IPM必须在外加控制电源及控制信号后才能测Vces及1GBT的控制导通与截止特性;在无电源及控制信号时严禁在图示仪上测Vces,因为此时相当于内部TGBT的“g,,s

6、”间开路,用高压测Vces极易损坏IGBTo四、实验内容及步骤1.估测IGBT的门极和源极间电容人小。2.测量IGBT反向并联的二极管好坏。3.判断1GBT的开通能力是否正常。4.判断IGBT的判断能力是否正常。五、实验注意事项测量IGBT的导通与截止特性前务必将门极和源极矩路，确保两管脚间无电荷。实验二变频器面板操作及运行一、实验目的1.了解变频器的操作方法及显示特点。2.了解并熟悉变频器的各种运行模式。3.熟练拿握变频器运行方式的切换和参数的预置方法。二、实验设备森兰SB100系列变频器1台电机1台导线若干三、实验内容及步骤1.熟悉变频器

7、的面板操作1）仔细阅读变频器的面板介绍，掌握在临视模式下显示Hz.A.V的方法，变频器的各种控制方式的设置方法、及运行命令之间的切换方法。①运行监视模式下，显示战、A、V的方法：该状态下按VV键，操作面板可循环显示不同的待机状态参数（由FC-00〜FC-08定义）单位指示灯的各种组合表示的单位如下表4-1。表4-1各种组合表示的单位显示单位显示单位AVHz%A•—kvv—（）一m/s—OAVHz%kWO*—hw—•■"min-Q—rn/$—oAVHz%VO—kw—•-"mm-•—rrv$_oAVHz%“minO—lew—O■"min■•—m/

8、s-OAVHz%HzO—kw—AVHz%m/sO—kw—O-伽in-O—AVHz%%O—kw—•-"rmn一m/s-・AVHz%s或ms②变频器控制方式的设置：按下