500kV／22OkV同塔四回线绕击跳闸率的研究

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1、2010年02月Feb．2010第38卷第1期(总第206期)Vo1．38No．1(Ser．No．206)500kV／220kV同塔四回线绕击跳闸率的研究ResearchonShieldingFailureRateof500kV／220kVQuadruple—circuits王磊，肖山。(1．东北电力大学，吉林吉林132012；2．吉林省电力有限公司，长春130021)摘要：分析了500kV／220kV同塔四回输电线路的绕击耐雷性能，采用电气几何模型法EGM来计算绕击跳闸率。采用暴露弧法计算每根导线绕击跳闸率，以暴露弧为0时对应的雷电流作为雷电的最大绕击电流，并分析了地

2、面倾角、杆塔结构等因素对500kV／220kV同塔四回输电线路绕击跳闸率的影响。结果表明，雷电绕击多发生在500kV线路上；随着地面倾角增大，绕击跳闸率增大；绕击跳闸率随避雷线横担长度增长而减小，但对220kV线路影响不大。通过详细分析和计算，对塔型设计方案进行了验证、比较。关键词：同塔四回线；绕击跳闸率；电气几何模型；地面倾角；击距Abstract：Theperformanceagainstlightningstrikeof500kV／220kVquadruple—circuitsononesametowerwasanalyzedandshieldingfailure

3、ratehasbeencalculatedaccordingtoEGM．Theshieldingfailurerateofeachwirewascalculatedaccordingtoexposurearcmethod．Thelighteningcurrentwhenexposureareiszerohasbeenadoptedasmaximumshieldingcurrent．Theinfluencesofgroundobliquityandpolestructuresonshieldingfailurerateinquadruple—circuitsononesa

4、metowerhavebeenanalyzed．Ithasbeenconcludedthatthelighteningfailurearefrequentlyoccurredin500kVlinesandshieldingfailurerateincreaseswiththeincreaseofgroundobliquity．Shieldingfailureratedecreaseswiththeincreaseoflighteningconductorarmlength．Lighteningconductorarmlengthincreasehasnoinfluenc

5、eon220kV．Byanalysisandcalculating，thetowertypedesignschemehasbeenverifiedandcomparedwhichcouldgiveinstructiononprojectsKeywords：quadruple—circuitsononesametower；shieldingfailurerate；EGM；groundobliquity；strikingdistance中图分类号：TM75文献标志码：A文章编号：1009—5306(2010)01—0026—04随着国民经济的快速发展和电网建设步伐的加提高Ⅲ

6、。因此本文对500kV／220kV同塔四回输电快，在人口稠密、经济发达地区，输电线路走廊日趋线路的绕击跳闸率进行了研究。通过编程计算得到紧张，其费用在线路建设投资中所占比例越来越大。不同条件下的绕击跳闸率，提出了改善绕击耐雷性面对线路走廊与地方土地利用之间日益加剧的矛能的措施。盾，集约化利用土地资源势在必行，必须提高线路走廊单位面积的传输容量。参考国外发达国家经验，多1计算方法回线路同塔并架技术是解决此问题的有效措施，国内传统的超高压输电线路一般采用同塔双回模式。使用电气几何模型法EGMl2计算线路绕击跳“同塔四回”是在同一座塔上架设四回路输电线路，闸率，并考虑杆塔所处

7、地面倾角和风偏角等因素的可节省电力走廊。目前，我国浙江、江苏、辽宁等地有影响。EGM算法中所用最大击距公式，在计算单回几条混压同杆四回输电线路。虽然同塔四回输电线线路时十分方便，但在计算同塔四回时则显得过于路有因杆塔高度比单双回线路高，杆塔电感和感应复杂(尤其是暴露弧法)。为此，本文根据导线、避雷过电压都较大，发生故障时严重影响系统的可靠性，线的相对位置求暴露弧，以暴露弧为0时对应的雷但它可以使有限的线路走廊内传输的电能容量得到电流作为雷电的最大绕击电流。这样可以较准确求收稿日期：2009—11一O3作者简介：王磊(1982一)，男，在读