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时间：2019-11-20
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1、1.4场效应晶体管Field-EffectTransistors(FETs)内容提要1.4.1结型场效应管,原理、输出特性与转移特性1.4.2绝缘栅型场效应管,原理、输出特性与转移特性1.4.3场效应管的主要参数1.4.5场效应管与晶体管的比较1.4.1结型场效应管的结构和符号图1.4.2N沟道结型场效应管的结构示意图图1.4.3uDS＝0时uGS对导电沟道的控制作用沟道变窄沟道消失图1.4.4UGS(off)0的情况预夹断恒流DS间为电阻特性图1.4.5场效应管的输出特性123图1.4.6场效应管的转移特性曲线图1.4.
2、7N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号图1.4.8uDS＝0时uGS对导电沟道的影响图1.4.9uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响图1.4.10N沟道增强型MOS管的特性曲线图1.4.11N沟道耗尽型MOS管结构 示意图、符号及转移特性图1.4.13场效应管的符号及特性1.4.3场效应管的主要参数直流参数交流参数极限参数夹断电压开启电压饱和漏极电流直流输入电阻低频跨导极间电容最大漏极电流击穿电压最大耗散功率例1.4.2试分析为0V,8V和10V情况下分别为多少？如图所示电路,场效应管的夹断电压UGS(off)
3、=-4V， 饱和漏电流IDSS=4mA。 试问，为保证负载电阻RL上的电流为 恒流，RL的取值范围为多少？1.4.5场效应管与晶体管的比较流控？压控？温度稳定性噪声管脚互换性偏置的多样性工艺性放大倍数今日作业1.15，1.16
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