光探测和光接收机

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1、第五章光探测和光接收机本章内容对光检测器的基本要求PN结光电检测原理PIN光电二极管APD雪崩光电二极管MSM光电探测器单行载流子光电探测器波导光电探测器数字光接收机对光检测器的基本要求1.在系统的工作波长上要有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，光检测器能输出尽可能大的光电流。2.波长响应要和光纤的三个低损耗窗口兼容。3.有足够高的响应速度和足够的工作带宽。4.产生的附加噪声要尽可能低，能够接收极微弱的光信号。5.光电转换线性好，保真度高。6.工作性能稳定，可靠性高，寿命长。7.功耗和体积小，使用简便。光纤通信常用的光电检测器

2、半导体材料PIN光电二极管APD雪崩光电二极管PN结光电检测原理耗尽区：由于扩散电流和漂移电流方向相反，在平衡状态下两种电流相等，使得总电场为零，等效于空间电荷区的电阻阻值很大，载流子数目很少，称其为耗尽区。电子和空穴的扩散运动PN结界面内部电场漂移运动耗尽区、扩散区如果光子的能量大于或等于带隙(hf≥Eg)当入射光作用在PN结时发生受激吸收、光生载流子在耗尽层形成漂移电流。内部电场的作用，电子向N区运动，空穴向P区运动半导体材料的光电效应？PN结光电二极管结构PN结光电二极管工作原理当PN结加上反向电压后，在入射光的作用下，由

3、于受激吸收过程生成的电子-空穴对在电场的作用下，分别离开耗尽区，在闭合外电路中形成光生电流的器件。当入射光功率变化时，光生电流也随之线性变化，从而把光信号转变成电流信号。加反向电压？入射光？光生载流子？光生电流？镀抗反射膜以减少反射光强度反射光的相位差？反射光的幅度？厚度？折射率？光电二极管的特性1.响应度R2.量子效率η3.截止波长λc4.响应速度光生载流子的漂移时间、扩散时间、RC时间常数常用半导体材料的禁带宽度与截止波长PN结光电二极管的缺点耗尽区窄结电容或耗尽区电容较大响应速度慢光电转换效率低PIN光电二极管在P和N层之间

4、加入了一个I层，作为耗尽层。I层的宽度较宽，约有（5~50）m，吸收系数很小，易进入材料内部吸收绝大多数光子，使光生电流增加。PIN光电二极管工作原理当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子(电子--空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生扩散电流。因I层宽，又加了反偏压，空间电荷区（耗尽层）加宽，绝大多数光生载流子在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生漂移电流。这个漂移电流远远大于扩散电流，所以PIN

5、光电二极管的灵敏度高。在回路的负载上出现电流，就将光信号转变为了电信号。PIN光电二极管的波长响应曲线几种半导体材料的吸收系数随波长的变化PIN输出电流和反向偏压的关系击穿电压APD雪崩光电二极管APD光电二极管的工作原理APD的光敏面被光子照射之后，光子被吸收而产生电子-空穴对。这些电子-空穴对经过高电场区之后，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶体原子相碰撞，使晶体原子电离，产生新的电子-空穴对，这个过程称为碰撞电离。碰撞电离所产生的电子称为二次电子-空穴对，这些电子-空穴对在高速电场运动时

6、又被加速，又可能碰撞电离其他原子，如此多次碰撞，产生连锁反应，使载流子数量迅速增加，反向电流迅速增大，形成雪崩倍增效果。平均雪崩增益MM与电子和空穴的电离率有关，随半导体材料的不同而不同，同时随高电场区强度的增大而增大。APD增益与偏压及温度的关系本征响应带宽（频域角度）载流子在电场区的渡越时间上升时间τtr定义：输入阶跃光功率时，探测器输出光电流最大值的10%到90%所需的时间。APD的本征响应带宽τe为等效渡越时间，它与空穴和电子的电离系数比值有关。光电二极管的实际响应带宽APD波长响应曲线Si半导体材料的空穴和电子的碰撞电离

7、系数比值为0.22三种探测器产品的典型参数P183表5.2.1MSM光电探测器（MSM,Metal-Semiconductor-Metal）优点：结电容小，带宽大，制造容易缺点：响应度低光电转换原理相同单行载流子探测器(UTC-PD)在PIN光电二极管中，对光电流作出贡献的包括电子和空穴两种载流子。只有电子充当载流子，空穴不参与导电，电子的迁移率远高于空穴，因而其载流子渡越时间比PIN的小。波导光电探测器（WG-PD）边入射光电探测器面入射光电探测器PIN的响应速度受到PN结RC数值、I吸收层厚度和载流子渡越时间等的限制。可解除量

8、子效率与响应速度之间的制约关系分支波导探测器(TaperedWG-PD)边入射平面折射波导RFUTC-PD数字光接收机光电转换和前置放大器（光接收机的核心）前置放大器在减弱或防止电磁干扰和抑制噪声方面起着特别重要的作用光接收机前置放大器等效电路线性