主流内存条调研及BIOS中设置内存参数

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1、主流内存条调研及BIOS中设置内存参数目的：了解内存条的型号及价格，和内存条的发展方向组员：卓冰周银胜左蕊当前主流内存条的排行主流内存的型号及价格（台式）主流内存条4G-1600价格及功能比较主流内存的型号及价格（笔记本）常见DDR内存频率对照表补充：DDR技术所谓双通道DDR，简单来说，就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据。这两个相互独立工作的内存通道是依附于两个独立并行工作的，位宽为64-bit的内存控制器下，因此使普通的DDR内存可以达到128-bit的位宽，如果是DDR400的话，双通道技术可以使其达到DDR800

2、的效果，内存带宽陡增一倍，由原先的3.2GB/S猛增为6.4GB/s。SDR和DDR1/2/3存储原理示意图在BIOS中设置内存参数一：内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAMTimingSelectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：AutomaticConfiguration、DRAMAuto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或E

3、nable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表！二、BankInterleaving“内存交错技术”（可能的选项：Off/Auto/2/4）这里的Bank是指L-Bank，目前的DDRRAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。三、CommandRate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAMCommandRate、CMDRate

4、等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。五、DRAMClock“内存时钟频率”（可能的选项：HostClock/Hclk-33MHz/Hclk+33MHz，说

5、明：HostClock即总线频率和内存工作频率同步、Hclk-33MHz即总线频率减33MHz、Hclk+33MHz即总线频率+33MHz”等三种模式可选。）在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz的情况下(也有采用3:4、4:5的倍频模式的)。注意：在BIOS中对内存进行优化设置可能会对电脑运行的稳定性造成不良影响，所以建议内存优化后一定要使用测试软件进行电脑稳定性和速度的测试。如果您对自己内存的性能没有信心，那么最好采取保守设置，

6、毕竟稳定性是最重要的。