延长存储器使用寿命的研究

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1、在计算机领域飞速发展的当下，存储器部分作为计算机系统中的核心组成部分，对其性能的要求也在不断提高。除了在工艺改良方面所能做出的努力，人们也在不断探索能够找出一种新的材料来使存储器的性能得到大幅度的提高。而铁电薄膜的出现给这一想法带来了希望。由丁•铁电材料自身所具有的非挥发性，以及用于较高的介电常数等性质，不但非常适宜用作存储器材料，也能够完成较高程度的集成。通过廿前已经研制岀的FeRAM來看，铁电材料至少町以拥有非挥发性；高速存取；低能耗小尺寸；工作温度范围广；抗辐射损伤能力强等优异的性能。但在铁电材料的应用过程中仍有一些问题I、的未解决，其中最严重的就是铁电薄膜存在的极化翻转疲劳现象。于是

2、本文用实验的方式探究铁电薄膜疲劳现彖的成因以及影响因素，用以研究解决铁电材料极化翻转疲劳的方法。关键词：铁电存储器；铁电薄膜；极化翻转疲劳；缺陷ABSTRACTIntherapiddevelopmentofcomputerscienceatpresent,memorypartasthecoreelementsinthecomputersystem,itsperformancerequirementsarealsorising.Inadditiontocanmakeinprocessimprovementefforts,peopleareconstantlyexploringperforman

3、cetofindamaterialtostorenewhasbeengreatlyimproved.Andtheemergenceofferroelectricthinfilmsforthisideabringshope.Thenon-volatileferroelectricmaterialhasitsown,aswellasforthehighdielectricproperties,isverysuitableforthememorymaterial,alsocanachieveahigherdegreeofintegration.BynowhasdevelopedtheFeRAM,f

4、erroelectricmaterialsmayatleasthavenonvolatile;highspeedaccess;lowenergyconsumptionandsmallsize;operatingtemperaturerange;resistancetoradiationdamageabilityandexcellent.Butintheapplicationprocessofferroelectricmaterialsstillhavesomeproblemshavenotbeenresolved,polarizationswitchingfatiguephenomenont

5、hereisthemostseriousistheferroelectricthinfilms.Causesandthewayofferroelectricthinfilmsfatiguephenomenonandtheinfluence,inordertostudythesolutionofpolarizationswitchingoftheferroelectricmaterialfatigue.Keywords：FeRAM；Ferroelectricthinfilms；Polarizationswitchingfatigue；Defect第一章绪论-4-1・1存储器件-4-1.1.1存

6、储器件的分类-4-1.1.2铁电存储器-5-1.2铁电存储器的疲劳现象-8-1・3铁电材料-9-1.4本论文的目的和意义-12-1.5木论文具体内容安排-13-第二章PZT薄膜的制备与测试-14-2・1弓丨言一14一2.2样品制备-14-2.3样品表征与测试一18-2.3.1样品表征-18-2.3.2疲劳特性测试-18-2.4本章小结-18-第三章结果分析与讨论-20-第四章总结与展望-22-致谢-23-参考文献-24-第一章绪论1.1存储器件存储器件是指能容纳一定事务的容器，存储器件是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据，计算机程序,中间运行结

7、果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。存储器：存放程序和数据的器件；存储位：存放一个二进制数位的存储单元，是存储器最小的存储单位，或称记忆单元；存储字：一个数（n位二进制位）作为一个整体存入或取出时，称存储字；存储体：大量存储单元的集合组成存储体；存储单元地址：存储单元的编号；字编址：对存储单元按字编址；字节编址：对存储单元按字节编址；寻址：由地址寻找数据，从对应地址的存储单