QX【应用指导】完全设计应用手册(页)

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1、DRVIVSPCVDDVSSUQX6103JvsnC目录:一.初识QX6103的供电与工作原理2二.设计合理的输入、输岀压差,避免不启动和闪烁4三•关于MOSFET与肖特基的选型5①MOS的耐压要大于Vin②MOS电流能力的选型③肖特基D4的耐压一般要大于Vin四.关于恒流取样电阻器的选择7①恒流取样电路的解说②调光电路元器件取值的建议五.《QX6103电感等外围参数计算器》①《计算器》简述②计算器自动生成BOM结尾初识QX6103的供电与工作原理。如上图,是QX6103典型的应用电路图,它是一个经典的浮地型非隔离DC/DCBUCK架构。我们先来对这个电

2、路的工作原理解释一番。①在上电瞬间,Vin通过R1电阻器,提供一个10uA的电流给QX6103启动工作,此时,QX6103将DRV置高,Q1N-MOS的DRAIN-SOURCE导通。这个10uA电流,是在MOS关闭的情况下提供的,因此上电时电流获取环路如下:OVIN■■OrtVlVSP-VUDVSS::QX6103VSN-②一旦QX6103获取了10uA电流,即在DRV相对VSS(AGND)产生一个5V左右的电平信号,驱动Q1MOS导通,此时电路正式开始工作,并在MOS导通期间,产生2个主要的作用:点亮LED,对L1电感器充电。MOS导通期间的电流走向如

3、下:如上图的A、B、C电势点,是AGND等电势的。由于电荷并不会在等电势的两个点之间流动,因此,在MOSFET导通的瞬间,并不会对C3和C2电容器进行充电。①由于QX6103是定频200kHz的IC,MOS会很快关断一段时间。根据“楞次定律”,电感会尽可能阻碍磁通量发生变化,从而在电感中形成了一定方向的电流。如下图:如上图,电流从A点出发(电感产生的电流会沿着之前的电流方向继续流动),产生了3个功能:通过红色的续流回路给点亮LED,以及通过绿色的回路给电容器C3供电,通过浅绿色的回路给QX6103的Vdd供电。一般情况下,L1电感器A-B两端所产生的电势

4、差为LED的Vf值、续流二极管D4的VF值和R2上的取样电压之和。譬如,LED的Vf值为9.0V,D4的Vf值为0.4V,R2取样电压为0.2V,则L1两端的电压Vab二9.0+0.4+0.2二9.6v。由于C3储能电容器的负极是连接到AGND的,也就是电感器B点。于是,电容器的电压应该是L1电感器Vab电压减去肖特基D3的Vf值。继续之前举例,如果Vab=9.6V,肖特基D3的Vf0.4Vo则C3电容器充满电电压Vc3=Vab-V((D3)=9.6-0.4=9.2Vo④由于QX6103的静态工作电流只需要0.7mA,如规格书PAGE5所示。静态电流IS

5、TANDBY0.7niA为了让电路更可靠的工作,我们常常给芯片备足足够的驱动电流,如1.5mA来计算电路的裕量。以电路工作电压为5.3v的典型值来计算,要给芯片足够的工作电流,则限流电阻器R3的取值应该为:R3<(Vc3-VDD(TYP))/1.5mAo继续之前之举例,如果Vcs=9.2v,则R3<(9.2v-5.3v)/1.5mA=2.6kQo一般情况下,根据Vdd所需要的电流,以及C3电容器充放电时间(@仁200kHz),C3至少需要8.2uF的电容值;一般默认取值10uFo至此,QX6103的Vdd(相对AGND)达到了稳恒状态,从而周而复始的重复

6、②③④点。电路进入恒流状态。二.设计合理的输入、输出压差,避免不启动和闪烁Duty弓空比I相对于QXMD其他DC/DCBUCK主控(如QX6103,QX5241球说,QX6103是一个定频200kHz且带有最大占空比的BUCK主控,定周期5ps,最大占空比为95%o而占空比Duty近似符合以下公式:Duty=Vout/Vin=VLED/Vino一旦输出/输入大于95%,则QX6103将无法满足恒流取样,影响了开关,导致了Vdd无法取电正常(只有当MOS关断时,C3电容器才能充电),肯定会导致闪烁的产生。精确的说,Duty计算公式中的输入电压还是在变化的。

7、这包括传导线缆线损压降、MOSFET导通压降、Res取样电压、电感器的自身损耗压差等。因此,将这些加起来,则输入、输出压差还需要拉大。一般情况下,在2ALED电流的水平,我们预计会有0.55V的压差。在4A输出电流下,大约会有1.1A的压差。如上图,即使输出电流很低,接近0A,但是稳定的输入■输出压差也不会是0V。这是因为要使得电路稳定,R2作为恒流取样电阻,必须产生0.2V的压差。综上所述,必要的压差是需要的。一.MOSFET与肖特基的选择CAGNDGNDDRVVSPDVSSQX6103①MOS的耐压一般要大于Vino如上图,QX6103的DRV输出低

8、电平,此时MOSFET关闭。我们同意以系统大地为零电势(GND=0V),贝ijM

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