2019届高考物理一轮复习 课时作业50 电磁感应中的动力学和动量、能量综合问题

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1、课时作业(五十) 电磁感应中的动力学和动量、能量综合问题[基础训练]1.(2018·山东济南一模)平行导轨固定在水平桌面上,左侧接有阻值为R的电阻,导体棒ab与导轨垂直且接触良好,棒在导轨间的阻值为r.输出功率恒为P的电动机通过水平绳向右拉动ab棒.整个区域存在竖直向上的匀强磁场.若导轨足够长,且不计其电阻和摩擦,则电阻R消耗的最大功率为(  )A.PB.PC.PD.2P答案:B 解析:导体棒在水平方向受拉力和安培力,当拉力与安培力平衡时,棒的速度最大,此时电路中的感应电流最大,电阻R上消耗的功率最大,

2、则电路的最大电功率为P,电路中各电阻上的功率与电阻成正比分配,所以=,所以PR=P,B正确.2.(2018·辽宁沈阳东北育才学校二模)如图所示,固定在水平桌面上的光滑金属导轨cd、eg处于方向竖直向下的匀强磁场中,金属杆ab与导轨接触良好,在两根导轨的端点d、e之间连接一电阻,其他部分电阻忽略不计,现用一水平向右的恒力,作用在金属杆ab上,使金属杆由静止开始向右沿导轨滑动,滑动中杆ab始终垂直于导轨,金属杆受到的安培力用F安表示,则下列说法正确的是(  )A.金属杆ab做匀加速直线运动B.金属杆ab运动

3、时回路中有顺时针方向的电流C.金属杆ab所受到的安培力先不断增大,后保持不变D.金属杆ab克服安培力做功的功率与时间的平方成正比答案:C 解析:对金属杆受力分析,根据牛顿第二定律有F-F安=ma,即F-=ma,由于速度变化,所以加速度发生变化,故金属杆做加速度逐渐减小的变加速运动,不是做匀加速直线运动,故A错误;根据楞次定律可知,金属杆ab运动时回路中有逆时针方向的感应电流,故B错误;由F安=可知,当速度增大时,安培力增大,当金属杆受力平衡时,达到最大速度,其后开始做匀速运动,安培力不变,故C正确;安培

4、力的功率P=F安v=,若金属杆做匀加速直线运动,则v=at,安培力功率与时间的平方成正比,由于金属杆做变加速运动,因此金属杆克服安培力做功的功率与时间的平方不成正比,D错误.3.(2018·河南八市重点高中质检)如图所示,导体杆OP在作用于OP中点且垂直于OP的力作用下,绕O轴沿半径为r的光滑的半圆形框架在匀强磁场中以一定的角速度转动,磁场的磁感应强度为B,AO间接有电阻R,杆和框架电阻不计,回路中的总电功率为P,则(  )A.外力的大小为2BrB.外力的大小为BrC.导体杆旋转的角速度为D.导体杆旋转

5、的角速度为答案:C 解析:设导体杆转动的角速度为ω,则导体杆转动切割磁感线产生的感应电动势E=Br2ω,I=,根据题述回路中的电功率为P,则P=EI;设维持导体杆匀速转动的外力为F,则有P=,v=rω,联立解得F=Br,ω=,选项C正确,A、B、D错误.4.(2018·陕西西安中学月考)(多选)如图所示,平行金属导轨与水平面成θ角,导轨与固定电阻R1和R2相连,匀强磁场垂直穿过导轨平面.有一导体棒ab,质量为m,导体棒的电阻与固定电阻R1和R2的阻值均相等,与导轨之间的动摩擦因数为μ,导体棒ab沿导轨向

6、上滑动,当上滑的速度为v时,受到安培力的大小为F.此时(  )A.整个装置因摩擦而消耗的热功率为μmgvcosθB.整个装置消耗的机械功率为(F+μmgcosθ)vC.电阻R1消耗的热功率为D.电阻R2消耗的热功率为答案:AB 解析:此时整个装置因摩擦而消耗的热功率为Pf=fv=μmgvcosθ,故A正确;设导体棒ab的长度为L,磁感应强度为B,电阻R1=R2=R,电路中感应电动势E=BLv,ab中感应电流为I==,棒ab所受安培力为F=BIL=,电阻R1消耗的热功率为P1=2R=,故P1=Fv,电阻R

7、1和R2阻值相等,它们消耗的热功率相等,则P1=P2=Fv,整个装置消耗的机械功率为P3=Fv+Pf=(F+μmgcosθ)v,故B正确,C、D错误.5.(2018·上海虹口一模)(多选)如图所示的光滑水平面上,水平条形区域Ⅰ和Ⅱ内有方向垂直纸面向里的匀强磁场,其宽度均为s,区域Ⅰ和Ⅱ之间有一宽度为L=3s的无磁场区域,一质量为m、边长为s的正方形线框在水平恒定外力作用下从距区域Ⅰ左边界s处由静止开始做匀加速直线运动,假设线框能匀速地通过磁场区域Ⅰ和Ⅱ,则下列说法正确的是(  ) A.线框通过区域Ⅰ和区

8、域Ⅱ时的速度大小之比为1∶B.区域Ⅰ与区域Ⅱ内磁场的磁感应强度大小之比为∶1C.线框通过区域Ⅰ和区域Ⅱ过程产生的热量相等D.线框通过区域Ⅰ和区域Ⅱ过程通过线框某一横截面的电荷量相等答案:AC 解析:由运动学公式v1=,v2==,线框通过区域Ⅰ和区域Ⅱ时的速度大小之比=1∶,故A正确;通过区域Ⅰ时,能匀速通过,说明受到的安培力等于外力,即F安=B1Is=,在区域Ⅰ和Ⅱ之间运动时,线框做加速运动,所以进入磁场区域Ⅱ时线框的速度大于进入磁场区域Ⅰ

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