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时间:2019-11-06
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1、第5章电子元器件的测量5.1电阻、电感和电容的测量5.2Q表5.3YD2810B型LCR数字电桥5.4半导体器件的测量5.5集成电路的测试本章小结5.1电阻、电感和电容的测量5.1.1阻抗的概念5.1.2R、L、C元件的基本特性5.1.3电阻的测量5.1.4电感的测量5.1.5电容的测量5.1.1阻抗的概念阻抗是表征一个元器件或电路中电压、电流关系的复数特征量。在图5-1中,若给一个无源网络(或二端网络)的两输入端施加一激励电压信号(直流或交流),将产生一个电流。当激励电压为直流电压E时,对应产生
2、的电流为I,其电压与电流之比为一个常数,称之为电阻R,即R=E/I。当激励电压为交流电压u(t)时,对应的响应电流为i(t),这时我们将该电压与电流之比称为阻抗Z。图5-1电路阻抗示意图由于响应电流i(t)与激励电压u(t)之间通常会存在一个相位差,故(5-1)阻抗Z的实数部分R为电阻,是交流电路中消耗能量的元器件;虚数部分X为电抗,是存储能量的元器件。
3、Z
4、为阻抗的绝对值(或模值);为复数的阻抗相角,表示电压U与电流I之间的相位差。Z、R和X之间的关系可用阻抗矢量图表示,如图5-2所示。图5-2
5、阻抗矢量图5.1.2R、L、C元件的基本特性1.电感线圈电感线圈的主要特性为电感L,但不可避免地还包括有损耗电阻rL和分布电容Cf。通常情况下,rL和Cf的影响较小。将电感线圈接于直流电源并达到稳态时,则可视为电阻。当其连接于频率不高的交流电源时,可视为理想电感和损耗电阻的串联;当频率继续升高,仍可将其视为L和rL的串联,但因Cf的作用,损耗电阻rL和电感L将随频率变化而变化;当频率很高时,由于Cf的作用,可视为电感和电容的并联。由此可见,在某一频率范围内,电感线圈可由若干理想元件组成的等效电路表
6、示。近似程度越高,适应的频率范围越宽,电路的形式越复杂。图5-3所示为高频电感线圈等效电路。图5-3电感线圈的等效电路2.电容器电容器等效电路如图5-4(a)所示。图中,除理想电容C外,还包含有介质损耗电阻Rj,由引线、接头、高频趋肤效应等产生的损耗电阻R,以及在电流作用下因磁通引起的电感L0。当频率很低时,R和L0的影响可以忽略,电容器的等效电路可以简化成图5-4(b)所示电路;当频率很高时,Rj的影响比R的影响小很多,L0的影响不能忽略,这时的等效电路如图5-4(c)所示,相当于一个LC串联谐
7、振电路。可以看出:当f<f0C时,电容器呈容抗,其等效电容C随频率的升高而增大;当f>f0C时,电容器呈感抗;当f=f0C时,电容器呈纯电阻。(a)电容器等效电路(b)低频等效电路(c)高频等效电路图5-4电容器等效电路3.电阻器电阻器的主要特性为电阻R,但不可避免地还包括有分布电感和分布电容。电阻器的等效电路如图所示。图中,R为理想电阻,LR为串联分布电感,Cf为分布电容。4.Q值为表征元器件储能与耗能之间的关系,引入了品质因数Q,同时定义:(5-5)对于电感L,其品质因数为:(5-6)对于电容
8、L,其品质因数为:(5-7)在实际应用中,常用损耗因数D来形容电容器的质量。损耗因数D被定义为Q的倒数,即(5-8)5.1.3电阻的测量1.伏安法对于阻值固定且在低频下工作的电阻,可以根据欧姆定律对其进行测量。只要测得电阻两端的电压以及流过电阻的电流,即可由欧姆定律R=U/I求出电阻的实际数值。图5-6所示为利用电流表和电压表测量电阻的两种方法,属于间接测量法,存在一定的误差。图5-6电阻测量的基本电路2.欧姆表欧姆表或万用表中的欧姆挡是一种直接测量电阻所用的仪表,其准确度不高,但使用极为方便,可
9、以直接读取被测对象的电阻,在精度要求不高的情况下被广泛使用。图5-7所示为串联式欧姆表的电路,由直流电流表与电阻及电源串联组成。当被测电阻Rx=0时,可以通过调整“零欧姆调整电阻(0Ωadj)”R2,使电表头偏转在满刻度的位置,在此将刻度标以“0Ω”。在被测电阻Rx=∞时,流过电表头的电流为零,因此在刻度的零点位置标以“∞”。Rx=0时流过电表头的满刻度电流表示为图5-7串联式欧姆表当两测试端连接上被测电阻Rx时,流过电表头的电流为欧姆表连接待测电阻Rx时的偏转与满刻度偏转的比值,以刻度S.R
10、表示为由式可知,当待测电阻Rx==Rh时,电表头将产生半格偏转(S.R=1/2),此电阻值称为欧姆表的半格电阻,可表示为(5-12)欧姆表的测试范围为0Ω~∞,通常以其半格电阻来表示欧姆表的额定,串联式欧姆表的刻度可由其刻度比的关系式来表示;图为串联式欧姆表的刻度,刻度的中央刻度为其半格电阻(Rh),也叫中值电阻;当Rx=3Rh时刻度在1/4位置,Rx=Rh/4时刻度在4/5位置。3.电桥法当对电阻的测量精度要求很高时,可用直流电桥进行测量。图5-9所示为常见的惠斯登电桥,图中R1
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