第20讲半导体存储器[7.3-7.5]

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1、第七章半导体存储器(8%)Semiconductormemory《电子线路2》第20讲24May2011Pages366~382《数字电子技术基础》阎石主编高等教育出版社，20097.3随机存储器7.4存储器的容量扩展7.5用存储器实现组合逻辑函数1一、结构与工作原理7.3随机存储器7.3.1静态随机存储器RAM2114管脚图21024×4位RAM（2114）选中要读/写的4位+5V100~200ns？为什么行地址数大于列地址数？3二、SRAM的存储单元1.六N沟道增强型NMOS管SRAM静态存

2、储单元归纳：T1-4：记忆1位2值代码.T5-6：门控FF与位线关系.T7-8：门控位线与RW连接.Fig.5.2.24六N沟道增强型NMOS管——Working读/写不完全对称！选中存储单元：Xi=1，Yj=152.六管CMOS静态SRAM存储单元特点：1.T2、T4并非全导通,能耗更低,静态能耗1-2微瓦；2.交流断电后，电池低压保存数据。T2、T4→P沟道MOSExample：SRAM5101L(Intel)1.+5V，1~2微瓦；2.+2V，0.28微瓦。63.双极型SRAM静态存储单元

3、射级读/写存储单元特点：工作速度快！功耗大！应用：高速系统——ECL系统-射极耦合逻辑（EmitterCoupleLogic）7*7.3.2动态随机存储器（DRAM）栅极电容可以随时存储电荷！栅极电容容量小~pF！漏电流不等于零！及时补充漏掉的电荷以避免存储的信号丢失——刷新/再生！辅以必要的刷新电路！单管动态MOS存储单元工作原理结构简单，利大于弊，DRAM的主流产品！8适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可!思考:如何用八片1024x1位→1

4、024x8位的RAM?7.4存储器容量的扩展7.4.1位扩展方式ROM无读/写控制端!9适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时！1024x8RAM7.4.2字扩展方式思考:如何用四片256x8位→1024x8位RAM?片选信号：另行解决！10字扩展方式256x8位→1024x8位RAM00011101101110110111111011000111011011101101111110位数、字数都不够用时，同时采用位+字扩展！12以地址线为输入变量A0、A1，数据线D0~D3为一组关于地址变

5、量的逻辑函数！地址数据A1A0D3D2D1D00001010110111001001111107.5用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理每一位数据输出是若干最小项之和！任何形式的组合逻辑函数均能通过向RAM/ROM中写入相应的数据来实现！n位地址、m位数据可以获得i<=m组任何形式的n变量组合逻辑函数，只要向RAM/ROM中写入相应数据！A0~An-1“与”阵列“与”项W0~W(2n-1)“或”阵列Y0~D0Ym~Dm13输入输出字形DCBAabcdefgh0000000010000000100

6、0001100010000001010001100011100001000100101010001011000110000000110100011100011110000【例7.5.1】用ROM设计一个八段显示译码器。14掩模ROM八段显示译码器数据中0个数（40/128）少很多，所以接入二极管表示0，但输出要反相！15【例7.5.2】用ROM产生如下的一组逻辑函数：逻辑或逻辑与交叉点圆点代表存储器件！每个输入地址对应一个最小项，地址译码器包含全部最小项！4×16dots!16书面作业P384【

7、题7.8,7.9】预习作业第八章：可编程逻辑器件17