半导体硅材料复习题

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1、一填空题1.根据单晶硅的使用目的不同，单晶硅的制备工艺也不同，主要的制备工艺有两种，分别是（区域熔炼法和切克劳斯基法）。3.在热平衡状态半导体中,载流子的产生和复合的过程保持动态平衡，从而使载流子浓度保持定值，则处于此种状态下的载流子为(平衡载流子)。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为（非平衡载流子）。4使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡，就会得到纵向电阻率比较均匀的晶体。方法：（变速拉晶法，双坩埚法），（）。5多晶硅的生产方法主要包含：(SiCl4法、硅烷法、流化床法、西

2、门子改良法)。6硅片的主要工艺流程包括：单晶生长→整形→(切片)→晶片研磨及磨边→蚀刻→(抛光)→硅片检测→打包。7纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称(施主杂质)8.在P型半导体的多数载流子是：(空穴)9.总厚度变差TTV是指：(硅片厚度的最大值与最小值之差)10..常用的半导体电阻率测量方法有：(直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针。）。1、在晶格中，通过任意两点连一直线，则这直线上包含了无数个相同的格点，此直线称为_______晶列_____。2、精馏是利用不同组分有不同的______沸点______，在同一温度下，各组分具有不同蒸汽压的特点进行

3、分离的。3、物理吸附的最大优点是其为一种_____可逆_______过程，吸附剂经脱附后可以循环使用，不必每次更换吸附剂。4、多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的____温度梯度________。5、工业硅生产过程中一般要做好以下几个方面：_、观察炉子情况，及时调整配料比_、_____选择合理的炉子结构参数和电气参数___；及时捣炉，帮助沉料_和______保持料层有良好的透气性6、改良西门子法包括五个主要环节：SiHCl3的合成；SiHCl3精馏提纯；SiHCl3的氢还原；尾气的回收；SiCl4的氢化分离7、由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以

4、_____区熔法；直拉法两种物理提纯生长方法为主。1、CZ法生长单晶硅工艺主要包括加料，熔化，缩颈生长_，放肩生长，等径生长，_______尾部生长____6个主要步骤。2、以硅石和碳质还原剂等为原料经碳热还原法生产的含硅97%以上的产品，在我国通称为工业硅或_______冶金级硅_____。3、总厚度变差TTV是指：_____硅片厚度的最大值与最小值之差_______；翘曲度WARP是指__硅片的中面与参考面之间的最大距离与最小距离之差__________。1.晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷1.单晶硅的主要生产方法是：西门子改良直拉法3.在P型半导体的

5、多数载流子是：空穴4.硅片的主要工艺流程包括单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包5．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质.6．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。7．非平衡载流子通过复合效应而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关8.常用的半导体电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针1.三氯氢硅还原法最早由西门子公司研究成功。2.CZ法生长单晶硅工艺主要包括加料，熔化，缩颈生长，放肩生长，等径

6、生长，尾部生长6个主要步骤。3.由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以区熔法和直拉法两种物理提纯生长方法为主。4.由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以____区熔法________和_________直拉法___两种物理提纯生长方法为主。5.多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的____温度梯度________。1、PN结电容可分为__扩散电容_______和____过渡区电容______两种。2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为__、下降______，对于窄沟道器件对VT的影响为____上升_

7、____。  3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受____VBE___电压控制，其基极电流IB受_VBE___电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。 5、PN结击穿的机制主要有_雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿_等等几种。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有_沟道长度调制效应、漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应_。7