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时间:2019-11-04
《《光纤通信》第4章 复习思考题参考答案》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、原荣编著《光纤通信(第3版)》第4章复习思考题参考答案4-1简述半导体发光基理答:在构成半导体晶体的原子内部,存在着不同的能带。如果占据高能带(导带)的电子跃迁到低能带(价带)上,就将其间的能量差(禁带能量)以光的形式放出,如图4.2.1所示。这时发出的光,其波长基本上由能带差所决定。能带差和发出光的振荡频率之间有的关系,h是普朗克常数,等于6.625´10-34J×s 。由得出(mm)(4.2.1)式中,c为光速,取决于半导体材料的本征值,单位是电子伏特(eV)。图4.2.1半导体发光原理4-2简述激光器和光探测器的本质区别答:发光过程,除自发辐射外,还有受
2、能量等于能级差的光所激发而发出与之同频率、同相位的光(激光),即受激发射,如图4.2.2(b)所示。图4.2.2光的自发辐射、受激发射和吸收反之,如果把能量大于的光照射到占据低能带的电子上,则该电子吸收该能量后被激励而跃迁到较高的能带上。在半导体结上外加电场后,可以在外电路上取出处于高能带上的电子,使光能转变为电流,如图4.2.2(c)所示,这就是光接收器件。9原荣编著《光纤通信(第3版)》4-3自发辐射的光有什么特点答:对于大量处于高能带的电子来说,当返回能级时,它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此,这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向,它们可以向
3、各自方向传播。同时,高能带上的电子可能处于不同的能级,它们自发辐射到低能带的不同能级上,因而使发射光子的能量有一定的差别,这些光波的波长并不完全一样。因此自发辐射的光是一种非相干光,如图4.2.2(a)所示。4-4受激发射的光有什么特点答:受激发射生成的光子与原入射光子一模一样,即它们的频率、相位、偏振方向及传播方向都相同,它和入射光子是相干的。4-5如何才可能实现光放大?答:激光器工作在正向偏置下,当注入正向电流时,高能带中的电子密度增加,这些电子自发地由高能带跃迁到低能带发出光子,形成激光器中初始的光场。在这些光场作用下,受激发射和受激吸收过程同时发生,受
4、激发射和受激吸收发生的概率相同。用和分别表示高、低能带上的电子密度。当时,受激吸收过程大于受激发射,增益系数,只能出现普通的荧光,光子被吸收的多,发射的少,光场减弱。若注入电流增加到一定值后,使,g>0,受激发射占主导地位,光场迅速增强,此时的P-N结区成为对光场有放大作用的区域(称为有源区),从而形成受激发射,如图4.2.3所示。4-6说出产生激光的过程答:激光器工作在正向偏置下,当注入正向电流时,高能带中的电子密度增加,这些电子自发地由高能带跃迁到低能带发出光子,形成激光器中初始的光场。在这些光场作用下,受激发射和受激吸收过程同时发生,受激发射和受激吸收发
5、生的概率相同。用和分别表示高、低能带上的电子密度。当时,受激吸收过程大于受激发射,增益系数,只能出现普通的荧光,光子被吸收的多,发射的少,光场减弱。若注入电流增加到一定值后,使,增益系数g>0,受激发射占主导地位,光场迅速增强,此时的PN结区成为对光场有放大作用的区域(称为有源区),从而形成受激发射,如图4.2.2(b)和图4.2.3所示。半导体材料在通常状态下,总是,因此称的状态为粒子数反转。使有源区产生足够多的粒子数反转,这是使半导体激光器产生激光的首要条件。9原荣编著《光纤通信(第3版)》(a)没有偏置时的能带图(b)正向偏置足够大时的能带图,此时引起粒
6、子数反转,发生受激发射图4.2.3半导体激光器的工作原理半导体激光器产生激光的第2个条件是半导体激光器中必须存在光学谐振腔,并在谐振腔里建立起稳定的振荡。有源区里实现了粒子数反转后,受激发射占据了主导地位,但是,激光器初始的光场来源于导带和价带的自发辐射,频谱较宽,方向也杂乱无章。为了得到单色性和方向性好的激光输出,必须构成光学谐振腔。在1.3.2节中,我们已讨论了法布里-珀罗(Fabry-Perot)谐振腔的构成和工作原理。在半导体激光器中,用晶体的天然解理面(CleavedFacets)构成法布里-珀罗谐振腔,如图4.2.4所示。要使光在谐振腔里建立起稳定
7、的振荡,必须满足一定的相位条件和阈值条件,相位条件使谐振腔内的前向和后向光波发生相干,阈值条件使腔内获得的光增益正好与腔内损耗相抵消。谐振腔里存在着损耗,如镜面的反射损耗、工作物质的吸收和散射损耗等。只有谐振腔里的光增益和损耗值保持相等,并且谐振腔内的前向和后向光波发生相干时,才能在谐振腔的两个端面输出谱线很窄的相干光束。前端面发射的光约有50%耦合进入光纤,如图4.2.3(a)所示。后端面发射的光,由封装在内的光电检测器接收变为光电流,经过反馈控制回路,使激光器输出功率保持恒定(图4.2.3(a)没有画出)。图4.2.5表示半导体激光器频谱特性的形成过程,它
8、是由谐振腔内的增益谱和允许产生的腔模谱
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