放大电路测试精彩试题及问题详解

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1、文档郴州市综合职业中专2012学年度第2学期模拟电路课程月考试卷专业：电子级别：2012班级：学号：姓名：一、填空题（共30分，每空1分）1、当NPN半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。3、三极管的特性曲线主要有　　　　　　曲线和　　　　　曲线两种。4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，　　　　与　　　　之间的关系。5、为了保证不失真放大，

2、放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调RB，使其，则IB，这样可克服失真。6、共发射极放大电路电压放大倍数是　　　　　与　　　　　的比值。7、三极管的电流放大原理是　　　　电流的微小变化控制　　　　电流的较大变化。8、共射组态既有　　　　放大作用，又有　　　　放大作用。9、某三极管3个电极电位分别为VE=1V,VB=1.7V,VC=1.2V。可判定该三极管是工作于　　　　　　区的　　　　型的三极管。10、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位

3、分别为①3.5V，②2.8V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e,b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。11、画放大器交流通路时，　　　　和　　　　应作短路处理。二、选择题（共40分，每小题2分）1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。A、VBE>0,VBE0，VBE>VCE时D、VBE<0，VBE>VCE时2、工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约

4、为。A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同文档C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、检查

5、放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量A、IBQB、UBEC、ICQD、UCEQ8、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在。A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定9、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是UA=2.3V，UB=3V，UC=0V，则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管10、电路如图所示，该管工作在。A、放大区B、饱和区C、截止区D、无

6、法确定11、测得三极管IB=30μA时，IC=1.4mA；IB=40μA时，IC=2.4mA，则该管的交流电流放大系数为。A、80B、60C、75D、10012、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则。文档A、1为e2为b3为cB、1为e3为b2为cC、2为e1为b3为cD、3为e1为b2为c13、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。A、iCB、uCEC、iBD、iE14、某晶体管的发射极电流等于1mA，基极

7、电流等于20μA，则它的集电极电流等于A、0.98mAB、1.02mAC、0.8mAD、1.2Ma15、下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法16、下图所示为三极管的输出特性。该管在UCE=6V，IC=3mA处电流放大倍数β为。A、60B、80C、100D、10UCE/V17、放大电路的三种组态。A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用18、晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用

8、的是A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是19、三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是。A、VB=0.7V，VE=0V，VC=0.3VB、VB=-6.7V，VE=-7.4V，VC=-4VC、VB=-3V，VE=0V，VC=6VD、VB=2.7V，VE=2V，VC=2V20、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出电压为60V，则变压器的次极电压应为（）。Ａ、50VＢ、60VＣ、72VＤ、27三、判断题（12