光耦全参数解释及设计注意事项

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1、文档一：光耦参数解释1、正向工作电压（forwardvoltage）：是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。2、正向电流：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。3、反向工作电压（reversevoltage）：是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。如，在使用交流脉冲驱动LED时，需

2、要增加保护电路。4、反向电流：在被测管两端加规定反向工作电压时，二极管中流过的电流。5、反向击穿电压：：被测管通过的反向电流为规定值时，在两极间所产生的电压降。6、结电容：在规定偏压下，被测管两端的电容值。7、电流传输比CTR(currenttransferratio)：指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方

3、法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。文档1、集电极电流（collectorcurrent）：如上图，光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。2、输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。3、反向击穿电压：发光二极管开路，集电极电流为规定值，集电极与发射集间的电压降。4、反向截止电流：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时

4、，流过集电极的电流为反向截止电流。5、C-E饱和电压（C-Esaturationvoltage）：光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。6、入出间隔离电容：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。7、入出间隔离电阻：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。8、入出间隔离电压：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值9、传输延迟时间、：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉

5、冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间。10、上升时间Tr (Rise Time)& 下降时间(Fall Time)，其定义与典型测试方法如下图所示，它们反映了工作在开关状态的光耦，其开关速度情况。文档二：使用光耦隔离需要考虑以下几个问题①光耦直接用于隔离传输模拟量时，要考虑光耦的非线性问题；②光耦隔离传输数字量时，要考虑光耦的响应速度问题；③如果输出有功率要求的话，还得考虑光耦的功率接口设计问题。1光电耦合器非线性的克服光电耦合器的输入端是发光二极管，因此，它的输入特性可用发光二极管的伏安特性来表示，如图1b所示；输出端

6、是光敏三极管，因此光敏三极管的伏安特性就是它的输出特性，如图1c所示。由图可见，光电耦合器存在着非线性工作区域，直接用来传输模拟量时精度较差。图1光电耦合器结构及输入、输出特性解决方法之一，利用2个具有相同非线性传输特性的光电耦合器，T1和T2，以及2个射极跟随器A1和A2组成，如图2所示。如果T1和T2是同型号同批次的光电耦合器，可以认为他们的非线性传输特性是完全一致的，即K1(I1)=K2(I1)，则放大器的电压增益G=Uo/U1=I3R3/I2R2=(R3/R2)[K1(I1)/K2(I1)]=R3/R2。由此可见，利用T

7、1和T2电流传输特性的对称性，利用反馈原理，可以很好的补偿他们原来的非线性。图2光电耦合线性电路文档另一种模拟量传输的解决方法，就是采用VFC(电压频率转换)方式，如图3所示。现场变送器输出模拟量信号(假设电压信号)，电压频率转换器将变送器送来的电压信号转换成脉冲序列，通过光耦隔离后送出。在主机侧，通过一个频率电压转换电路将脉冲序列还原成模拟信号。此时，相当于光耦隔离的是数字量，可以消除光耦非线性的影响。这是一种有效、简单易行的模拟量传输方式。图3VFC方式传送信号当然，也可以选择线性光耦进行设计，如精密线性光耦TIL300，高

8、速线性光耦6N135/6N136。线性光耦一般价格比普通光耦高，但是使用方便，设计简单；随着器件价格的下降，使用线性光耦将是趋势。2提高光电耦合器的传输速度当采用光耦隔离数字信号进行控制系统设计时，光电耦合器的传输特性，即传输速度，往往成为系统最大数据传输速率的