2014年理科综合:(大纲版)2014年高考真题理科综合试题(含答案解析)

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1、2014年普通高等学校招生全国统一考试【大纲卷】理科综合一、选择题:本题共13个小题,每小题6分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的.1.下列有关细胞核的叙述,错误的是A.蛋白质是细胞核中染色质的组成成分B.细胞核中可进行遗传物质的复制和转录C.小分子物质可以通过核孔,大分子物质不能D.有丝分裂过程中存在核膜消失和重新形成的现象2.ATP是细胞中重要的高能磷酸化合物.下列有关ATP的叙述,错误的是A.线粒体合成的ATP可在细胞核中发挥作用B.机体在运动时消耗ATP,睡眠时则不消耗ATPC.在有氧与缺氧的条件

2、下细胞质基质中都能形成ATPD.植物根细胞吸收矿质元素离子所需的ATP来源于呼吸作用3.下列关于人体淋巴细胞的叙述,错误的是1.在胸腺中发育成熟的T淋巴细胞可参与细胞免疫2.效应T淋巴细胞可攻击被病原体感染的宿主细胞3.T淋巴细胞和B淋巴细胞都是由造血干细胞发育成的4.T细胞释放的淋巴因子不能使受到抗原刺激的B细胞增殖4.某同学在①、②、③三种条件下培养大肠杆菌,这三种条件是:①以葡萄糖为碳源的培养基,不断补充培养基,及时去除代谢产物②以葡萄糖为碳源的培养基,不补充培养基,不去除代谢产物③以葡萄糖和乳糖为碳源的培养基,不补

3、充培养基,不去除代谢产物根据培养结果绘制的一段时间内菌体数的对数随时间变化的趋势图如下:假设三种培养基中初始总糖量相等,则①、②、③三种条件依次对应的趋势图是A.甲、乙、丙B.乙、丙、甲C.丙、甲、乙D.丙、乙、甲5.为了验证单侧光照射会导致燕麦胚芽鞘中生长素分布不均匀这一结论,需要先利用琼脂块收集生长素,之后再测定其含量.假定在单侧光照射下生长素的不均匀分布只与运输有关,下列收集生长素的方法【如图示】中,正确的是6、下列叙述正确的是A、锥形瓶可用作加热的反应器B、室温下,不能将浓硫酸盛放在铁桶中C、配制溶液定容时,俯视容

4、量瓶刻度会使溶液浓度偏高D、用蒸馏水润湿的试纸测溶液的pH,一定会使结果偏低7、NA表示阿伏加德罗常数,下列叙述正确的是A、lmolFeI2与足量氯气反应时转移的电子数为2NAB、2L0.5mol•L-1硫酸钾溶液中阴离子所带电荷数为NAC、1molNa202固体中含离子总数为4NAD、丙烯和环丙烷组成的42g混合气体中氢原子的个数为6NA8、下列叙述错误的是A、SO2使溴水褪色与乙烯使KMnO4溶液褪色的原理相同B、制备乙酸乙酯时可用热的NaOH溶液收集产物以除去其中的乙酸C、用饱和食盐水替代水跟电石反应,可以减缓乙炔的

5、产生速率D、用AgNO3溶液可以鉴别KC1和KI9、右图是在航天用高压氢镍电池基础上发展起来的一种金属氢化物镍电池(MH-Ni电池).下列有关说法不正确的是A、放电时正极反应为:NiOOH+H2O+e-→Ni(OH)2+OH-B、电池的电解液可为KOH溶液C、充电时负极反应为:MH+OH-→+H2O+M+e-D、MH是一类储氢材料,其氢密度越大,电池的能量密度越高10、下列除杂方案错误的是选项被提纯的物质杂质除杂试剂除杂方法A.CO(g)CO2(g)NaOH溶液、浓H2SO4洗气B.NH4Cl(aq)Fe3+(aq)NaO

6、H溶液过滤C.Cl2(g)HCl(g)饱和食盐水、浓H2SO4洗气D.Na2CO3(s)NaHCO3(s)—灼烧11、下列离子方程式错误的是A、向Ba(OH)2溶液中滴加稀硫酸:Ba2++2OH-+2H++SO42-=BaS04↓+2H2OB、酸性介质中KMnO4氧化H2O2:2MnO4-+5H2O2+6H+=2Mn2++5O2↑+8H2OC、等物质的量的MgCl2、Ba(OH)2和HC1溶液混合:Mg2++2OH-=Mg(OH)2↓D、铅酸蓄电池充电时的正极反应:PbSO4+2H2O-2e-=PbO2+4H++SO42-

7、12、从香荚豆中提取的一种芳香化合物,其分子式为C8H8O3,遇FeCl3溶液会呈现特征颜色,能发生银镜反应.该反应可能的结构简式是13、已知:将Cl2通入适量KOH溶液,产物中可能有KC1、KClO、KC1O3,且的值与温度高低有关.当n(KOH)=amol时,下列有关说法错误的是A、若某温度下,反应后=11,则溶液中=B.参加反应的氯气的物质的量等于amolC、改变温度,反应中转移电子的物质的量ne的范围:amol≤ne≤amolD、改变温度,产物中KC1O3的最大理论产量为amolamol二、选择题:本题共8小题,每

8、小题6分.在每小题给出的四个选项中,有的只有一项符合题目要求,有的有多项符合题目要求.全部选对的得6分,选对但不全的得3分,学科网有选错的得0分.14、—质点沿x轴做直线运动,其v-t图像如图所示.学科网质点在t=0时位于x=5m处,开始沿x轴正向运动.当t=8s.时,质点在轴上的位置为A.x=3mB.

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