基于射频三极管的超宽带引信脉冲源

《基于射频三极管的超宽带引信脉冲源》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、万方数据第32卷第3期2010年6月探测与控制学报JournalofDetection＆ControlVoL32NQ3Jm2010基于射频三极管的超宽带引信脉冲源雷华相，周国安，付红卫(空军工程大学导弹学院．陕西三原713800}摘要：针对当前基于阶跃恢复二极管的超宽带脉冲源成本高、电路复杂、工作电压高的不足，提出了基于射频三极管的超宽带引信脉冲源电路。该电路是以射频三极管为核心，利用射频三极管的低价和低压雪崩特性，结合电感器件磁场能存储与释放效应构建一种成本较低、电路简单，工作电压低的脉冲源。借助ADS仿真软件对电路进行了仿真测试，实际电路可以输出脉冲峰谷宽度为700ps，幅度达8．6

2、08V的亚纳秒的双极窄脉冲信号。测试结果表明该脉冲源能满足超宽带引信的需要。关键词：超宽带引信；脉冲源；射频三极管；』螂仿真中图分类号：1：m文献标志码：A文章编号：1008-1194{2010)03-0009-04APuiseGeneratorforUltra-widebandFuzeBasedonRF-B

3、JTLEIHuaxiang，ZHoUGuoan，FUHongwei(TheMissileInstitute，AirForceEngineeringUniversity，Sanyuan713800，China)Abstract：ThecurrentpIdsegeneratorforu

4、ltra-widehandfmebasedonSRDhasthedisadvantagesofhighCOSt，co叶plexst咖reandhighworkvoltage．ThispaperproposedapulsegeneratorbasedonRF-BJT．By娥thelowcostandlowvoltagea、，alard把characteristicofRF-BIT，integratingtheindm-mncem理删cenergystorageanddiSch嘲e，theconceivedpm∞generator诵t11theRF-BJTWSSoflowcost，simpl

5、estnlctl且℃andlowworkvoltag己It砌simulatedbyADSsimulationthattherealpulsegeneratormuldproduce70010ssub-namseomdpulseswithabout8．608VThetestingresultsindicatedthatthepulsegeneratorcouldmeettheneedsoftheultra-widehandfuze．Keywords：ultra-widebandfuze；apulsegenerator；RF-BJT；ADSsimulation0引言超宽带(Imm)引信体制以

6、其高距离分辨率、高隐蔽性、强穿透能力、强抗干扰能力、低功耗和低成本等优点[1

7、，成为了各国竞相研究的一种新型主动式引信。国内对UWB技术的研究起步较早，在“七五”、“八五”期间曾对超宽带引信开展过预研，虽然取得了一些成果，但是在超宽带相关接收机、高精度脉冲延迟、引信的微功耗、微型化等关键技术中存在的一些问题尚未得到全面解决。自2000年以来，我国的很多科研院所一直致力于超宽带技术理论与应用方面的研究，并开始对超宽带引信进行研制。超宽带引信关键技术中，纳秒或亚纳秒脉冲的形成技术倍受关注。目前有许多生成纳秒或亚纳秒脉冲信号的方法[2]，但考虑到超宽带引信的性能和成本，现主要采用的是阶跃恢复二

8、极管(SRD)。由文献E3-]知，基于SRD的超宽带脉冲源已在引信中成功运用。但该脉冲源成本高，电路复杂(产生的单极脉冲还需整形成发射效率高的双极脉冲[4])，工作电压高。因此本文利用射频三极管低价和低压雪崩特性[5]，结合电感器件磁场能存储与释放效应，设计和制作一种基于射频三极管的超宽带引信脉冲源。1三极管雪崩特性晶体管的输出特性一般有饱和、线性、截止和雪崩4个区。利用三极管的雪崩倍增效应产生窄脉冲的电路图如图1所示。*收稿日期：2010-01-21修回日期：20l㈣3．11作者简介：雷华相(1985一)，男，浙江台州人，硕士研究生，研究方向：超宽带引信研究与设计。E-mail：lei

9、hua666666@163．corn。万方数据10探测与控制学报图1三极管脉冲产生电路Fig,．1Thepulsegeneratorelectriccircuitof耐T当无触发脉冲输入时，雪崩三极管基极处于反向偏置，高压直流电源U。经过大阻值限流电阻Rc加到集电极，并经过Rc，RL给C充电。此时，三极管处于截止和临界雪崩状态。储能电容C进入稳态后两端电压为魄E约为u。。随着正极性触发脉冲的上升沿输入，三极管发生雪崩效应，迅速进入导