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时间:2019-10-23
《河南省漯河市高级中学高二上学期期末模拟(二)物理试题缺答案》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、高二年级上学期期末考试物理试卷模拟(二)一、选择题(每小题5分,共45分.其中7、8为多选,其余为单选.全部选对得5分,选对但不全得3分,有选错的得0分)1.如图所示,两根光滑金属导轨平行放置,导轨所在平面与水平面间的夹角为0.整个装置处于沿竖直方向的匀强磁场中.质量为m的金属杆ab垂直导轨放置,当杆中通有从a到b的恒定电流I时,金属杆ab刚好静止.则()磁场方向竖直向下磁场方向竖直向上ab所受支持力的大小为mgeosBab所受安培力的大小为mgeosOA.B.C.D.2.如图所示,一矩形闭合线圈在匀强磁场中绕垂直于磁场方向的转轴00,以恒定的角速度G转动,从图示位置开始计时,则在转
2、过180。这段时间内(线圈中的感应电流一直在减小线圈中的感应电流先增大后减小穿过线圈的磁通量一直在增大穿过线圈的磁通量的变化率先减小后增大A.B.C.D.3.如图所示,匀强电场竖直向上,匀强磁场的方向垂直纸面向外.有一正离子(不计重力),恰能沿直线从左向右水平飞越此区域.则(A.B.C.D.4.)若电子从右向左水平飞入,若电子从右向左水平飞入,若电子从右向左水平飞入,若电子从右向左水平飞入,电子也沿直线运动电子将向上偏电子将向下偏则无法判断电子是否偏转一个匝数为100匝,电阻为0.5Q的闭合线圈处于某一磁场中,磁场方向垂直于线圈平面,从某时刻起穿过线圈的磁通量按图示规律变化,则线圈中
3、产生交变电流的有效值为()A.6AB.5AC.2^5AD.2^6A001OBe/wb01/S5.阻值相等的四个电阻、屯容器C及电池E(内阻可忽略)连接成如图所示电路.开关S断开II电流稳定时,C所带的电荷量为Q,闭合开关S,电流再次稳后,C所带的电荷量为Q2・Qi与Q?的比值为()A.2:5B・1:2C.3:5D.2:36.某交流电源可在改变其输出电流的频率的同时保持其输出电压变,现用此电源对如图所示的电路供电,灯A、B、C分别与电容不Co电感线圈L、定值电阻R串联,此时三只灯泡亮度相同.现保持电压不变,让频率变为原来的两倍,则三只灯泡的亮度变化是()A灯比原来亮B.B灯比原来亮C灯
4、比原來亮D.A、B、C三灯亮度仍然相同A.C.如图所示,在等腰三角形abc区域内有垂直纸面向外的匀强磁场,dac上任意一点,c是be上任意一点.大量相同的带电粒子从a点以相7.是丄‘I工居、AA,C疋UC丄T工启、•人里T口
5、IJ口七个里“人J'liAT口U同方向进入磁场,由于速度大小不同,粒子从ac和be上不同点离开磁场.不计粒子重力,则从c点离开的粒子在三角形abc磁场区域内经过的弧长和运动时间,与从d点和e点离开的粒子相比较()A.经过的弧长一定大于从d点离开的粒子经过的弧长B.经过的弧长一定小于从e点离开的粒子经过的弧长C.运动时间一定大于从d点离开的粒子的运动时间D.运动时
6、间一定大于从e点离开的粒子的运动时间8.如图所示,一匀强磁场B垂直于倾斜放置的光滑绝缘斜而斜向上,匀强磁场区域在斜面上虚线ef与gh之间.在斜面上放置一质量为m、电阻为R的矩形铝框abed,虚线ef、gh和斜面底边pq以及铝框边ab均平行,且eh>bc.如果铝框从ef上方的某一位置由静止开始运动.则从开始运动到ab边到达gh线Z前的速度(v)■时间(t)图象,可能正确的有()9.如图所示,边长为1八匝数为N、电阻不计的正方形线圈abed,在磁感应强度为B的匀强磁场中绕转轴00'以角速度刀匀速转动,轴00'它与理想变压器的原线圈连接,变压器原、副线圈的匝数之比为1:2。二极管的正向电阻
7、为零,反向电阻无穷大,从正方形线圈处于图示位置开始计时,下列判断正确的是()儿交流发电机的感应电动势的瞬时值表达式为e-NBcol:sincot垂直了磁感线,制成一台交流发电机,B.变压器的输入功率与输出功率之比为2:1C.电压表V示数为NBcol}D.若将滑动变阻器的滑片向下滑动,电流表和电压表示数均减小二、实验题10(8分).⑴如图,螺旋测微器的读数为mm;游标卡尺读数为「(2)用多用电表探测图甲所示的黑箱发现:用直流电压挡测量,E、G两点间和F、G两点间均有电压,E、F两点间无电压;用欧姆表测量,黑表笔接E点,红表笔接F点,阻值很小,但反接阻值很大.那么该黑箱内元件的接法可能是
8、下图中的•11(16分).图(a)是白炽灯L](220V,100W)和L?(220V,60W)的伏安特性曲线.(a)(1)随着灯泡L
9、功率的增大,其灯丝阻值逐渐.(选填变大、变小或不变)(2)若将它们串联后接在220V电源上,则此时灯的实际功率为W.(3)若用图(b)电路测量Li灯的伏安特性,由于电表存在内阻,实际测得的伏安特性曲线比图(a)中描绘出的理想伏安特性曲线在I-U图中位置来得偏(选填高或低).(4)用图(b)所示电路测量L
10、灯伏安特性时,己知K
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