封装线流程(下游)

《封装线流程(下游)》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、1LED封裝材料……………………………….2LED封裝流程……………………………….OutlineLED封裝材料ChipZenerdiodeLeadframe&plasticcup聚磷苯二甲醯胺polyphthalamide(PPA)聚醯胺polyamide(PA)，低吸濕性Nylon液晶高分子LiquidCrystalPolymer(LCP)銀膠(conductivesilverpaste)DiglycoletherofbisphenolA10%Silver70~90%Epoxy/rubbercopolymer1~20%非自燃性，熱硬化型高分子聚合物Ph6.5，非水溶性300℃以上熱裂解

2、Density3.6~4g/cm3小於20μm黏度在25℃，11000~16000cpsTg79℃熱膨脹係數43ppm/℃(小於Tg)，228ppm/℃(大於Tg)。熱傳導係數2.5W/mK(120℃)晶片(11mil*11mil在銀支架上)推力大於130g/die(25℃)bisphenoldiglycolether絕緣膠(die-bondingpaste)矽膠熱阻抗&UV阻抗Density1.15g/cm3折射率1.42硬化後，彈性模數270N/mm2光穿透率70(400nm/2mm)熱膨脹係數220ppm熱傳導係數0.2W/mK金線(GoldWire)目的：將晶片內部的電路與導線架相

3、連接,使訊號可向外延伸螢光粉(Phosphor)必須被藍光(或紫外光)有效激發，並且有高的量子效率及物理化學穩定性(防潮、熱穩定性且不與晶片及封裝材料發生反應)。光轉換效率、混合白光之色溫、演色性指數、粉體表面形貌與成分之劣化等。螢光材料主要由下列幾項所組成：主體晶格(hostlattice)活化劑增感劑助熔劑(flux)顆粒大小約5~10μm。鋁酸鹽：yttriumaluminumgarnet(Y3Al5O12)：Ce3+矽酸鹽：Strontiumorthosilicate(Ba,Sr)2SiO4：Eu2+磷酸鹽、含硫CoatingGlue封膠主要可分為Silicone膠及Epoxy膠兩

4、種透明膠.需考慮特性為:接著力,折射率,表乾程度,硬度,黏度(螢光粉沉澱),potlife,lifetime…等特性其與配方有關.捲帶(Tape&Reel)CarrierTapeReelCoverTapeLED封裝流程生管排程前段製令工單前段備料員領料、發料固晶Plasma打線點膠烘烤下料測試後段備料員領料、發料包裝目檢入半成品倉生管排程後段製令工單FQC入成品庫房LED封裝製程-擴晶目的Diewaferexpansion擴晶前擴晶後固晶固晶機Leadframewafersystem(已擴晶bluetap)Stampingsystem(點固晶膠)吸嘴:吸取晶片Leadframe點固晶膠從b

5、luetap吸取chip放置晶片於固晶膠上完成固晶動作ChipChip吸嘴吸嘴目的：利用接著劑將晶粒(晶片)黏著於導線架或基板表面，使其固著於基座上，利於銲線及點膠。LED封裝製程–Plasmaclean目的:利用物理撞擊及化學反應去除表面不純物LED封裝製程-烘烤目的:利用烘烤溫度將接著劑固化，並使其與晶粒及導線架表面結合瓷嘴打線Chip目的：利用熱及超音波,使用金線銲接於晶片上的銲墊及導線架或基板的銲墊上連接內外部線路，使晶片得以與外界溝通。打線機點膠機點膠目的：利用空壓、螺桿或噴墨方式將SiliconeorEpoxy膠定量流入膠杯中，點膠前預烤動作可減低bubble。測試目的：LED

6、Iv/WL/CIE/Ir/Vfmeasurementand分binLEDLoader光電測試indexLEDLED包裝目的：FinishedLEDpackingforSMTLED光電測試index封合headReelLoader