方波圆角与过冲分析

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1、一低通RC结的TINA仿真图1-阶低通RC结电路图如上,当输入50Hz方波时,电容器两端电压的上升沿和下降沿以指数规律变化,从而出现圆角。指数规律变化的上升沿其上升时间为t=3RC。图2-阶低通RC结在TINA中的仿真波形由一阶RC低通结的幅频特性与相频特性知道,方波通过一阶RC低通结时,谐波频率越高则幅值衰减越大,相位滞后越多(但最多不超过f)。二方波的圆角方波出现圆角的原因是:相对较低次的谐波而言,频率较高的谐波的幅值衰减较大,即高频抑制。1.5*1dO-8-6-4-20246810图3方波的前20次谐波合成的波形图4方波的前100次谐波合成的

2、波形由图4可以明显地观察到吉布斯现象。图5高次谐波经衰减与相移后的合成波形图6高次谐波经过衰减(无相移)后的合成波形由图5和图6可以看出,高次谐波经过衰减以后,将使得方波出现圆角。若各次谐波没有相移,则合成后仍然为对称波形。三方波的过冲方波出现过冲的原因是:相对较低次的谐波而言,频率较低的谐波的幅值衰减较大,即低频抑制。0.5•0.5-810d0图7无相移时低频抑制的合成波形(RC=l)图9有相移时低频抑制的合成波形(RC=0.1)图8无相移时低频抑制的合成波形(RC二10)2.521.510.50•0.5・1-1.5-2-2.5-10-8-6-4

3、-20246810图10有相移时低频抑制的合成波形(RC=1)图11有相移时低频抑制的合成波形(RC=10)

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