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时间:2019-10-20
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1、第2章学习单片机硬件系统本章内容项目引导——二极管亮灭闪烁控制系统项目实施相关知识项目分析硬件电路设计单片机最小系统电路电源电路复位电路时钟电路单片机和二极管的连接I/O端口选择端口和二极管的连接程序设计调试程序设计编写程序调试运行在开发环境下调试观察亮灭闪烁效果知识1、MCS-51单片机信号引脚简介P3口线的第二功能VCCVSSXTAL2XTAL1RSTP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P1.0P1.1P1.2P1.3P1.4P1.5P1.6P1.7P2.7P2.6P2.5P2.
2、4P2.3P2.2P2.1P2.0ALEP3.0P3.1P3.2P3.3P3.4P3.5P3.6P3.72、振荡电路:XTAL1、XTAL23、复位引脚:RST4、并行口:P0、P1、P2、P37、ALE:地址锁存控制信号1、电源线:VCC(+5V)、VSS(地)EAPSEN5、EA:访问程序存储控制信号6、PSEN:外部ROM读选通信号RXD/TXD/INT0/INT1/T0/T1/WR/RD/1234567891011121314151617181920403938373635
3、343332313029282726252424222180318051875189C51知识2:时钟电路与复位电路时钟振荡电路(2)复位电路单片机复位条件:必须使RST引脚持续2微秒高电平(外部时钟12MHz)复位电路知识3:并行输入/输出电路结构P0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P1.0P1.1P1.2P1.3P1.4P1.5P1.6P1.7P2.7P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P3.0P3.1P3.2P3.3P3.4P3.5P3.6P3.74个8
4、位并行I/O口:P0,P1,P2,P3;均可作为双向I/O端口使用。(1)特点:P0:访问片外扩展存储器时,复用为低8位地址线和数据线P2:高8位地址线。P1:双向I/O端口P3:第二功能1234567891011121314151617181920403938373635343332313029282726252424222180318051875189C51ALEWRRDP1.0P1.1P1.2P1.3P1.4P1.5P1.6P1.7指令1:MOVP1,#00H指令2:MOVP1,
5、#0FFH指令3:MOVP1,#0AAH000000001111111101010101(2)输出举例指令4:CLRP1.0指令5:SETBP1.0111111110+5V1111111111111111(3)输入举例S0+5V4.7kWALEWRRDP3.0P3.1P3.2P3.3P3.4P3.5P3.6P3.7读端口:MOVP3,#11111111BMOVA,P389C51××××××××寄存器A注:当I/O端口作为输入使用时,需先向端口写入“1”,使内部的FET截止,再读入引脚的状态。你知道P3.4对应寄存器A哪一位吗
6、?P3.4你知道这是为什么吗?1111111101项目实施电路设计准备器件编写程序调试程序观察结果电路设计编写程序程序设计思路:点亮→延时→熄灭→延时ORG0000HSTART:CLRP1.0ACALLDELAYSETBP1.0ACALLDELAYAJMPSTARTDELAY:MOVR3,#7FH;延时子程序DEL2:MOVR4,#0FFHDEL1:NOPDJNZR4,DEL1DJNZR3,DEL2RET程序清单知识4:MCS51单片机的内部结构1234567891011121314282726
7、2524232221201918171615EPROM276412345678910111213142827262524232221201918171615EPROM27641234567891011121314151617181920403938373635343332313029282726252424222112345678910111213142827262524232221
8、201918171615RAM626412345678910111213142827262524232221201918171615RAM6264知识5存储器结构80318751805189C51片内RAM片内ROM
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