过程材料5-外文翻译

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1、活化的氢键和卤键在四硫富瓦烯碱晶体分子导体中的相互作用MarcFourmiguePatrickBatail4.3.1・CHal・・・Hal阴离子相互作用CHal・・・O，S阴韶子相互作用CHal-N相互作用在TTF盐中卤键的发展在阴离子网路中的卤键相互作用结束语感谢4.3.1.CHal…Hal阴离子相互作用中性的氯代的四硫富瓦烯晶体显示了最好的密堆集CI-CI相互作用。由于氯原子的强负电性，氯取代TTFS比浪代或碘代衍纶物有更大的氧化潜能151并且它们的基本阳离子盐还没被任何领域研究。一个EDT-TTFC12的2:1盐已经被

2、带着强TCNQF4氧化剂的化学的氧化作用获得，®当单结晶实验提供一个带着C10八(EDT-TTFC12)-(C1O4)和带着EDO-TTFC12和(n.BgNPFe)的一个1:1盐，一个2:1盐被得到公式为(EDO-TTFC12)2(PF6)o153短的类型ICI-CI触点只在(EDT-TTFC12)2(TCNQF4)»P被观察到C1-C1=3.42A并且01=02=126。。也要注意到一个更短的类型I触点(3.38A,01=02=146°)在中性EDO-TTFC12中被观察到。1995年，Imakubo和Kato发表了(E

3、DT-TTF-I)2Br是四硫富瓦烯盐中卤键的一个首先的、根木的和很好的一个例子。①如4.5中举例证明，两个不完全氧化的EDT-TTF-I分子通过一个完美的线性和非常短的(3.21入,Z^nis=3.60A)I…Br触点键合澳化阴离子。也注意到来自两个邻近供体分子的两个C-H-Br-M键的稳定贡献，它们的结构特性(H…Br=2.61A,C・H…B「1力。)为这些相互作用在范围内很好地描述于3部分中。结果卤键和氢键、所冇的四分子和滉化阴离子都完全共而。这盐是一个伽=1Scm-'和活化能为51meV的半导体。强I…I相互作用的另

4、一个例子被发现在1:1盐,54(EDO-TTFI2)2(T)2(I2)'

5、',那里的两个供体分子通过示于4.6中的短的和线状的触点(3.40A,02=163。，173。)被键合于两个I•阴离子。I-和二碘分子(I-I=3.40A)的相互作用实际上产生1/•形式和一个沿着g+c延长的卤键网络。授后，在TTFb、(TTFI4)(I)的1:1碘化盐中，非常短的卜丁卤键(3.37A,3.41A)提供了一个三维结构。皿这些盐清楚地农示EDT-TTF-I,EDT-TTFI2或TTFI4在基本阳离子小的氧化作用为带负电的阴离子的静电相互作

6、用的提简增强碘原子电子云极化区域的缺电子特性，总到这样的相互作用不能在不同中性分子中观察到。这观察到的最强的相互作用被发现于完全氧化盐中(p=l)并确定单原了的阴离了(Bf,D,如果必要，这相互作用的静电特性也被确定。这最后的一点被带有聚合体lDPblf和2D(Pb5/6D1/6I2)3-阴离子(口=铅空位)的EDT-TTFb的两个盐的宏伟结构所举例证明，那里的最短C-I-I躺子触点被观察带有线性的Pbh•链(4.7),157每个碘原子带有电荷-0.33,与示于4.8中的二维(Pb5/6DI/6I2)3-夹层158相比较，那

7、里的每个碘原子在EDT-TTFI2(p=0.5)的相同氧化作用状态下所带电荷达到-0.17o在后來，这无机的夹层显示这Cdb结构类型就如在中性的、分层的六角形Pbb中所观察到的，⑸因此提供了第一个期待已久的例子，Pb【2添加化合物的晶体结构。这夹层的精密负电荷被铅空位存在的比转速所控制。这最短的I供体…I妣子距离(3.81,4.09A；见4.8),虽然比这些以上所描述的其它盐中的更长，但仍然比2/7-PbI2(4.95A)中的穿越范德华缺口的I…I离析短得多。企图填充无机的(Pb5/6D1/6I2)3-夹层的空隙，并在单价的

8、Ag+阳离子提供一个铅银合金的情况下，被熔融金属中心的电了特性所控制，公式为(EDT・TTF・I)2(Pb2/3+xAg“3gxl2)3,曲0.05,为这供体分子(p=%)带有相同的混合价态。这两个盐再室温下都显示一个金属的性能(Pb:

9、[,5714.S最后，在这里应该强调以上所描述的大部分的混合价盐显示：和卤素一起键合这有机・无机分界面，这冇机部分的典型的伪・1D或・2D构成带着它们的联合的费密表面和高度指导特性。换种说法，卤键和能带形成可以表示它们的一致性，带着增加在能带分散作用屮卤原子的包含值。4.3.2.CHal・