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1、毕业设计（论文）（2012届）题目硅片清洗原理与改进方法学号0903023015姓名余剑剑所属系太阳能科学与工程系专业光伏材料加工与应用技术班级09光伏材料（2）班指导教师江民华新余学院教务处制硅片清洗原理与改进方法摘要随着大规模集成电路的发展，集成度的不断提高，线宽的不断减小，对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的表而质量要求越来越严。在硅晶体管和集成电路生产中，几乎每道工序都有硅片清洗的问题，硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响，处理不当，可能使全部硅片报废，做不出管了來，或者制造出來的器件性能低劣，稳定
2、性和可靠性很并。因此弄清楚硅片清洗的方法和原理，不管是对于从事硅片加工的人，还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义。本文对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述，同时对一些常用的清洗方案进行了浅析，并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。最后介绍了清洗工艺的最新进展。关键词：硅片；清洗；湿法化学清洗；干法清洗技术；最新进展SiliconwafercleaningprincipleandimprovingmethodsAbstractAlongwiththedevelopmentofla
3、rgescaleintegratedcircuit,theconstantimprovementofthelevelofintegration,thelinewidthofconstantlydecrease,thequalityrequirementsofthesiliconwaferofmoreandmoreisalsohigh,especiallyinsiliconPaoGuangPiansurfacequalityrequirementsmoreandmoresevere・Insilicontransisto
4、rsandintegratedcircuitproduction,almosteveryprocessistheproblemofsiliconcleaning,thestandorfallofsiliconcleaningdeviceperformsneetohaveaseriousimpact,processesimproper,maymakeallsiliconscrap,can'tmakethetubeto,ormadetheinferiordeviceperformsnee,stabilityandreli
5、abilityispoor.Soclearofthesiliconcleaningmethodandprinciple,whetheritbeforwaferprocessinginperson,stillengagedintheproductionofsemiconductordevicesforpeopleisofgreatsignificance.Inthispaper,thebasictheoryofsiliconcleaningprocessmethodandcommontechniquesarediscu
6、ssedindetail,atthesametimeforsomecommonlyusedcleaningsolutionforshallow,andtheimportaneeofsiliconcleaninganddevelopmentprospectsweresimplydiscusses.Atlast,thepaperintroducesthelatestprogressofthecleaningprocess.Keywords：Siliconwafer;Oeaning;Wetchemicalcleaning;
7、Drycleaningtechnology;Thelatestprogressofthe摘要IAbstractII第1章硅片清洗的基本理论11.1硅面的表面状态与洁净度问题错误！未定义书签。1.2吸附理论错误！未定义书签。1.3硅片表面玷污朵质的来源和分类31.4硅片清洗的一般程序3第二章硅片清洗的常用方法与技术错误！未定义书签。2.1湿法化学清洗错误！未定义书签。2.1.1常用化学试剂洗液的性质42.1・2溶液浸泡法52.1・3机械擦洗法52.1.4超声波清洗技术52.1.5兆声波清洗技术62.1.6旋转喷淋法62
8、.2干法清洗技术72.2.1等离了体清洗技术72.2.2汽相清洗72.3束流清洗技术8第三章清洗技术的最新进展9结论10参考文献(References)11致谢12第1章硅片清洗的基本理论1.1硅片的表面状态与洁净度问题理想的硅片表面应该是硅原子有规则排列终止所形成的表面，表面内部的硅原子以共价键结合，而表而外部无其它原子，所以外方向的价键是未
