硬基第5章-存储

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1、1第五章存储系统2主要内容5.1、微型机存储系统体系结构5.2、存储器的分类及其特点5.3、存储芯片和存储条的接口特性5.4、内存储器结构与原理5.5、高速缓存的一般概念5.6、虚拟存储器原理5.7、PC系列微机的内存配置与管理3微型机的存储系统将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法连接起来就构成存储系统。系统的存储速度接近较快的存储器，容量接近较大的存储器。5.1、微型机存储系统体系结构4微型计算机系统Cache存储系统主存储器高速缓冲存储器虚拟存储系统主存储器磁盘存储器5存储系统的层次结构由上至下容量越来越大，速度越来越慢，价格越来越低CPU内部寄

2、存器高速缓存主存储器联机外存储器脱机外存储器5SRAMROM+DRAM硬盘6存储系统的主要指标存储容量：S单位容量的平均价格：CC=（C1×S1+C2×S2）/（S1+S2）存取周期：T=H·T1+（1-H）T2访问效率：E=T1/T命中率75.2、半导体存储器的分类及其特点ROM与RAM的选用ROM类型的选用RAM类型的选用芯片型号的选用掩模ROMPROMEPROMEPROMFlashROM2SRAMDRAM内存条1、分类及特点2、选用原则8静态存储器SRAM特点：存储元由双稳电路构成，存储信息稳定。VCC（+5V）ABT1T2T3T49典型SRAM芯片了解：主要引脚功能工作时序与系统的连接

3、使用6116 2k×8SRAM10数据I/O端，与TTL兼容，单+5V电源，同类型号有：CMD6116、CXK5816、CXK5817、CXK5818、HM6116、HM65162、IDT6116、M5M5116、MB8416、MCM65116、MN4416、MSM5126、SRM2016、TC5517、V61C16等。11SRAM6264芯片容量：8K×8芯片外部引线图地址线：A0～A12；数据线：D0～D7；输出允许信号：OE；写允许信号：WE；选片信号：CS1，CS212SRAM6264136264芯片与系统的连接D0~D7A0A12•••WEOECS1CS2•••A0A12MEMWME

4、MR译码电路高位地址信号D0~D7系统总线～6264•••+5V14译码电路将输入的二进制（地址）编码变换为一个特定的输出信号，即：将输入的高位地址信号通过变换，产生一个有效的输出信号，该信号选中某一个存储器芯片，使该存储器芯片进入工作状态。参与译码的高位地址信号决定了存储器的地址范围。15动态随机存储器DRAM特点：存储元主要由电容构成，由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定，故DRAM芯片需要定时刷新。16存储器的地址译码:1、一维地址译码（或称为线选法），这种方法用于小容量的存储器芯片，2、二维地址译码（即重合法），这种方法用于大容量的存储器芯片，存储器的扩展及地址线的位数是什么意

5、思？　　（1）位扩展：当存储器的容量要求与芯片的容量相同，但位数不同，就需要进行位方向上扩展。　　（2）字扩展：当存储器的位数与芯片的相同，但是容量不足时，就需要在字方向上扩展。　　（3）字位同时扩展：是指在内存容量和数据位长宽两个方向上同时扩展。　　当需要组成的内存容量为M，字长为N时，若已有芯片为m×n，所需芯片数＝（M∕m）×（N∕n）　　（4）地址线位数：如果存储器的容量＝2N，那么N就是整个存储器地址线的位数如果芯片的容量＝2n，那么n就是每个芯片地址线的位数17典型DRAM芯片2164A2164A：64K×1bit采用行地址和列地址来确定一个单元；行列地址分时传送。共用一

6、组地址信号线地址信号线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。01000100COLROW存储矩阵182164A的内部结构A0～A7存储矩阵256×256行地址锁存及译码列地址锁存及译码......列放大器...DoutDin控制电路RAS#CAS#WE#19主要引线RAS：行地址选通信号。用于锁存行地址；CAS：列地址选通信号。地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们分别在RAS和CAS有效期间被锁存芯片中。A0-A7：地址线DIN：数据输入DOUT：数据输出WE=0数据写入WE=1数据读出WE：写允许信号20只读存储器（ROM）特点：可随机读取数据，但不能随机写入；掉电后信息不丢失211、

7、EPROM特点：可多次编程写入；掉电后内容不丢失；内容的擦除需用紫外线擦除器。22典型EPROM芯片27648K×8bit芯片，其引脚与SRAM6264完全兼容；地址信号：A0~A12数据信号：D0~D7输出信号：OE片选信号：CE编程脉冲输入：PGM232、EEPROM特点：可在线编程写入；掉电后内容不丢失；电可擦除。24典型EEPROM芯片98C64A：容量8K×8；13根地址线（A0－A12