TFT LCM 不良品分析(万士达)

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1、TFTLCM不良品分析簡介製程四部整合分析廖啟昇朱召兴2006.05.101LCM製造流程分析手法外觀分析電性分析2LCM製造流程FlowChart：★★★BLM製程ILB製程OLB製程Silicon封膠UV封膠3ILB(InnerLeadBonding)製程作用：將驅動ICBonding至玻璃上。設備：廠內目前是使用自動對位本壓機(TBW、TB33、FPDR)技術：廠內以COG(ChipOnGlass)製程為主。將IC晶片直接Bonding在LCD玻璃基板上，再加上H/S、夾PIN、FPC等方式橋接成LCM模組。COG常見之椄合材料有UV-AC

2、P、ACF與NCA。現業界主要還是以異方性導電膜ACF為目前COG封裝技術主要接合材料。4ILB(InnerLeadBonding)製程材料：ACF(AnisotropicConductiveFilm)稱為「異方性導電膜」，是一種由5~10µm的導電塑膠微粒(Particle)，外層包覆導電膜及絕緣膜，須施加一定壓力使其破裂導通ICGoldBump及導電極。5ILB(InnerLeadBonding)製程製程不良：「ICShift」、「ILB熱壓不良」、「ICBump不良」等。造成無畫面or畫面異常、斷線等電測不良。一般為假壓對位失準、本壓溫度、時

3、間、壓力參數不良、ACFCuring(固化)不良等因素造成。6OLB(OuterLeadBonding)製程：作用：將FPC(FlexiblePrintedCircuits)軟式印刷電路板Bonding至玻璃上。設備：台灣廠目前使用「手動對位本壓機」執行OLB製程。技術：使用ACF(AnisotropicConductiveFilm)貼付壓合。廠內目前使用半自動貼付機。人工對位後由貼付機刀頭(120℃)執行貼付ACF膜。須加裝靜電離子風扇避免灰塵異物掉落至ACF膜。7OLB(OuterLeadBonding)製程：製程不良：「OLBShift」、「

4、OLB熱壓不良」、「OLB異物」。造成電測無畫面、畫面異常等不良。可能原因有刀頭走位、不平行、磨損等原因。與ILB製程相同，溫度、時間、壓力亦為重要參數。規範為(1)粒子破裂須超過10顆ACF粒子。(2)金手指位移不得超過導電極的½。(3)發生OLB異物長邊導通長度須超過0.5mm為OK。8BLM(BackLightModule)製程：作用：提供LCD面板均勻且足夠輝色度的光源。流程：9BLM(BackLightModule)製程：結構：Reflector10BLM(BackLightModule)製程：製程不良：一般皆以組裝異物及組裝不良造成點狀

5、不良or背光不良等電測不良。由於BLM製程屬於模組的附件加工，良率管控要項跟產品設計、作業手法、落塵管制等有關，此段發生不良一般皆可重工。(圖一)(圖二)(圖三)11分析手法12分類☆確認治工具、程式OK(取良品測試)。☆電測現象確認、記錄(工作電流、規格等)。☆Peak(觀察NG點液晶作動狀態等)。分析☆外觀：目視檢查(LCD、IC、FPC)、OM檢查(LCD、BondingArea)。☆電性：三用電錶、示波器、請模電部協助修改程式等。☆儀器輔助：FTIR、表面粗度儀、IV量測等對策☆立即通知相關製程進行對策or工程實驗驗證。追蹤☆建立分析資料庫

6、，做趨勢追蹤及知識管理。不良分析流程13外觀檢查分析14分析手法優先順序一.非破壞性分析(初步)1.外觀(LCD,IC,FPC,電子元件外觀是否損壞)2.電性量測(點亮是否大電流,不良狀況現象如何)二.暫時破壞性分析驗證(進階)1.外觀(BONDING區壓著,IC對位,X-Ray)2.電性量測(靜態動態昇壓電路量測,IZO(ITO)阻抗,量測各PIN角對地(Vss)或對電源(Vdd)接腳阻抗及二極體電壓,量測量測各PIN角短斷路情形,Lasercut,色輝度量測,程式驗證,電路波形量測)三.破壞性驗證(驗證階段)1.外觀(IC清洗,EDS,FTIR

7、,剖片分析)2.電性量測(切除某部分材料電路驗證,IVcurve量測,表面粗度儀量測,LED色輝度量測)3.良品不良品互換層別驗證4.良品反驗證比對15驗證層別手法使用IC模擬器修改程式,將LCD掃描方向變更,確認少線位置是否變更,若變更則為IC異常,若無變更,則為LCD異常.---少線,畫面異常.使用IC模擬器修改程式,使用程式“Displayoff”功能驗證樣品是否還有大電流現象,若大電流現象依然存在則為IC異常,若無,則為LCD或ILBBonding區異常.---少線,畫面異常,無畫面.將FPC拆除,使用廠內ILB治具點亮,層別是否為F

8、PC異常.---畫面異常,無畫面.將IC拆除清洗後,確認IC上料號是否正確,之後重新交叉Bonding層別驗證,確認不良