光亮剂配方分析

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1、光亮剂配方分析微谱分析指通过微观谱图（气相色谱、液相色谱、热谱、能谱、核磁共振谱等）对产品所含有的成分进行定性和定后的一种配方分析方法。_配方分析在日本,欧美应用比较广泛，而在国内，口前处于起步阶段。该技术甚至是很多国家的成长途径。二战之后的日本，就走的引进技术，分析还原，消化吸收，然后技术创新的道路。韩国等国家也是如此，从欧美获取技术，学习，实践，赶超。镀镰光亮剂的分类及作用根据镀镰光亮剂的组成及作用不同，通常分为初范围。级镀鎳光亮剂、次级镀镰光亮剂和辅助光亮剂。初级镀镣光亮剂初级光亮剂的分子中大多含有芳香磺酰基（Ar-SO2

2、-）^征官能团，它们都是有机含硫化合物，如糖精（BSI,邻磺酰苯酰亚胺钠）和二苯磺酰基亚磺酸（BBI）是最常用的初级光亮剂。其作用为：①使镀层晶粒明显细化，从而产生光亮，光亮比较均匀，能扩大光亮电流密度范围，但单独使用时不能产生全光亮镀层。②使镀层呈现压应力，平衡次级光亮剂的张应力，改善镀层的延展性。③对阴极极化作用的影响没有次级光亮剂强。浓度较低时，阴极过电位增加范围约为15〜45mV;浓度增高时，阴极过电位不再显著增加。④金属离子放电的同时，它们也被阴极还原，将以硫化物的形式进入镀层，这些硫化物夹杂到晶格中具有半导体的电子传

3、导特性，可以沟通晶粒之间的电子流，有利于提高镀层的光亮度。次级镀繚光亮剂次级光亮剂现在主要为有机物。有机物常与拨基厂9一°）、烯基（—厂9一）、烘基（二丸-）、氤基（-C三N）等不饱和基团有关，大多是醛类、烘醇类、烘胺类、毗喘类衍生物等，香豆素（氧杂蔡邻酮）、14丁烘二醇（BOZ）、硫酸丙烷咄噪（PPS）、二乙基丙块胺（DEP）、乙氧基丙块醇（PME）是常用的次级光亮剂。其作用为：①强烈吸附在阴极表面，使阴极电位明显负移，使镀层结晶细致,分散能力较好。②除了具有光亮作用外，还具有较强的整平能力，醛基的整平能力最弱，烘醇中的C三C

4、和毗唳、嚨咻中的C二N整平能力最好。③单独使用次级光亮剂时，可获得全光亮镀层，但是获得光亮镀层的电流密度范围较窄，和初级光亮剂配合使用才有较大的光亮电流密度范围。辅助光亮剂辅助光亮剂大都具有不饱和的脂肪族链，分子中的磺酰基(・S0・)不一定直接与不饱和碳相连，常用的有：乙烯磺酸钠、苯乙烯磺酸钠、烯丙基磺酸钠、烯丙基磺酰胺、丙烘磺酸钠等。其作用主要有：①加快出光速度。②提高镀液的整平能力。③改善镀液的光亮覆盖能力，减少针孔。④极强的走位能力和低电流区的光亮作用。⑤吸附在活阴极性位•置，降低次级光亮剂的消耗。镀镰光亮剂的作用机理光亮

5、剂在电镀镰过程中的作用机理比较复杂，可以从两个方面来理解。扩散消耗机理电镀过程屮，由于基体金属表面的不平整性，使得电流密度分布不均。由微观整平的“扩散消耗机理”可知：一定电位范围内，有机物分子优先在阴极基体金属表面凹处吸附消耗，使其扩散速度减慢，从而导致微观凹处的吸附层比凸处吸附层薄，电沉积阻化作用小，迫使微观凹部位的电流密度大于凸起部位，便于金属离子在凹处沉积，从而可增加镀层表面平滑度。某些光亮剂含有RC二NR、R・SOH、RCOO-.RN=NR等活性基团。一方面，有的在阴极吸附并还原，形成的硫化物与鎳离子一起沉积到镀层中，沉

6、积的硫化物增加了镀层的脆性和耐蚀性，硫元索具有半导体电子传导特性，增强了晶体间电子的流动性，因而有助于提高镀层的光亮度。另一方面，它们与镰离子形成络合物，降低阴极附近游离的镰离子浓度，浓差极化作用增强，同时由于配合物的迟缓放电效应，也使得阴极过电位升高。镀银光亮剂的参考配方随着对镀镰光亮研究的深入，理想的镀鎳光亮剂应该是初级、次级和辅助光亮剂等按一定比例复配而成，充分利用相关离子的协同效应，调整不利因素，从而获得最佳的光亮效果。初级光亮剂配方一配方二配方三MKBSI)500gTL糖箱500500g/L不饱和脂肋酸50~100gf

7、L有机多硫化10g/L对胺(BBD伪生物(MHED合物(HPSS)乙烯基樓酸钠(VS)适量开缸剂3-4mL/L开紅剂3-4mL/L开缸剂3~4mUL次级光亮剂配方一配方二配方三PHPdft唉衍生物）PP-HPE（丙做8$类衍生物）300~400g/L50-100glLPHPDEP（二乙基丙块胺）200~300g/L30g/LPA-DEPM滋胺类化合物）NB-PSOH（毗哇类衍生物）150~200乳150-200g/LMSEE（不饱和脂肪酸的感化物）10g/LALS（丙烯基歳酸钠）30g/LPP-HPE5-10g/L开缸剂1mL/

8、L开41剂1mL4-开缸剂2-3mL/L半光亮剂和辅助光亮剂半光亮剂配方辅助光亮剂配方BP-BHPE（丁快衍生物）200g/LPHP80g/LSOB（芳香族磺酸盐）50g/LHPSS40g/L甲酸100mL/L开缸剂0.8~1.6mL/L—次加入量1mlVL复合